| 发明名称 | 用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液，该溶液的金属杂质污染极低，使用所述的碱蚀刻溶液能够提供极佳的表面平整度，本发明还涉及使用所述高纯度碱蚀刻溶液的碱蚀刻方法。本发明的用于蚀刻硅晶片的碱蚀刻溶液中含有40至60重量％的氢氧化钠和0.01至10重量％硝酸盐和/或亚硝酸盐，所述氢氧化钠含有：1ppb或更低的铜、镍、镁和铬元素；5ppb或更低的铅和铁元素；10ppb或更低的铝、钙和锌元素；1ppm或更低的氯化物、硫酸盐、磷酸盐、氮化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1648287A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN200410103734.9 | 申请日期 | 2004.12.22 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 西村茂树 |
| 分类号 | C23F1/32;C23F1/40;H01L21/306 | 主分类号 | C23F1/32 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 1、一种碱蚀刻溶液，其含有氢氧化钠和0.01至20重量％的硝酸盐和/或亚硝酸盐，其中所述氢氧化钠为高纯度氢氧化钠，其含有：1ppb或更低的铜、镍、镁和铬元素；5ppb或更低的铅和铁元素；10ppb或更低的铝、钙和锌元素；1ppm或更低的氯化物、硫酸盐、磷酸盐、氮化合物。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||