一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法

摘要

一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法，属于光电成像技术领域中涉及的一种防离子反馈膜的制备工艺。本发明要解决的技术问题：提供一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法。解决的技术方案包括自持有机载膜的制备，在自持有机载膜上磁控溅射铝膜、铝膜贴膜、氧化和脱除有机载膜；自持有机载膜的制备是在去离子水中进行的，磁控溅射铝膜、贴膜、氧化和脱除有机载膜都是在真空室内进行的，在气体辉光放电中完成铝膜与微通道板输入面的贴附，辉光放电产生的氧离子对铝膜氧化并使有机载膜分解脱除，由于铝膜与微通道板输入面紧密贴附，在分解有机载膜过程中挥发的分子被铝膜挡住，微通道板免受污染，延长了光电成像器件的使用寿命、改善了背景。

主权项

1、一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法，是通过制备有机载膜、在有机载膜上溅射铝膜、铝膜贴膜、氧化和脱除有机载膜工艺过程实现的，其特征在于自持有机载膜的制备(6)，是在去离子水中进行的，在一器皿内放入去离子水，将搅拌均匀的有机膜溶液适量的滴入去离子水的液面上，待散开后立刻再滴入适量的有机膜溶液，在固化过程的适当时机，将自持载膜环放至其上，使二者很好的贴在一起，然后，刮去环边有机膜，并缓慢将载有有机膜的自持载膜环从去离子水中移出，严防污染，保持清洁，放入烘箱内升温至60℃，保持温度1-1.5小时；在自持有机载膜上溅射铝膜(7)，是在真空室内进行的，在真空室的上部，将经过前一步工艺过程完成的带有有机载膜的自持载膜环放在环形挡板上，使有机载膜朝上；在真空室的下部，金属槽内装有平面磁铁，在平面磁铁的上面放置平面铝靶，铝靶面与有机载膜相对，对真空室抽真空，真空度达4-5×10-3Pa，再充入氩气，保持真空度2-3Pa，进行磁控溅射，电流控制在90mA左右，溅射出的铝原子沉积在有机载膜上形成铝膜，有机载膜是铝膜的支撑物，铝膜的厚度监控在3-5nm，关闭电源，取出载有有机载膜和铝膜的双层膜的自持载膜环，并保持清洁不受污染；铝膜贴膜、氧化和脱除有机载膜(8)，在真空室内进行，真空室内装有绝缘支撑装置，其顶部放有阴极盘，中部的载膜环托盘上放置载有有机载膜和铝膜的自持载膜环，铝膜面朝下，它们的正下方装有能上下精密调节高度的可调高度平盘，作为阳极，微通道板平放其上且输入面朝上，并与铝膜对准，调节可调高度平盘，使二者紧密接触，阴阳极间距约为80mm，将真空室抽真空至1-2Pa，然后充入氧气至6Pa，并保持平衡，调节放电电压至600V左右起辉，再进一步加压至完全起辉，整个放电过程放电电压不能超过1000V，放电电流维持在10mA左右，时间5分钟，贴膜工艺过程是在气体辉光放电中完成的，铝膜与微通道板的输入面贴附在一起，辉光放电产生的氧离子使铝膜氧化，同时，在辉光放电中使有机载膜分解而被脱除。