| 发明名称 | 半导体激光装置 | ||
| 摘要 | 在本发明的半导体激光装置中，一P型扩散区(3A)被设置在硅底衬(16)的N-外延层(2)上，一N型扩散区(4A)被设置在P型扩散区(3A)上。P型扩散区(3A)和N型扩散区(4A)位于红光激光二极管(14)之下，且红光激光二极管(14)在没有绝缘膜的条件下通过电极(7，8)直接与N型扩散区(4A)连接。这样，可以防止红光激光二极管(14)和硅底衬(16)之间的短路。因此，根据这种半导体激光装置，可以防止在高温操作时半导体发光元件发生损坏或故障。 | ||
| 申请公布号 | CN1213525C | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN02160239.5 | 申请日期 | 2002.11.27 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 藤吉干;上村裕规 |
| 分类号 | H01S5/00;G11B7/125 | 主分类号 | H01S5/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光装置，包括一第一导电类型(N)的半导体底衬(16)，和被管芯焊接在该半导体底衬(16)上的在半导体底衬(16)侧极性彼此不同的第一和第二半导体激光元件(14，15)，其中半导体底衬(16)包括一个第二导电类型(P)的第一扩散区(3A)和一个形成在第一扩散区(3A)内的第一导电类型(N)第二扩散区(4A)，以使之位于第一半导体激光元件(14)下，和第一半导体激光元件(14)通过一电极(7，8)与第二扩散区(4A)连接。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||