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发明名称
调整半导体记忆元件中转换速率之装置与方法
摘要
本发明关于一装置用以调整半导体记忆元件中藉自一外部电路之一讯号所输出之一资料讯号之一转换速率与一方法,该装置包含:一转换速率控制讯号产生区块对应于一命令讯号经由结合自外部电路所输入的控制码用以输出复数个转换速率控制讯号,且一资料缓冲器用以调整藉使用转换速率控制讯号所输入之一资料讯号之转换速率。
申请公布号
TW200525543
申请公布日期
2005.08.01
申请号
TW093138859
申请日期
2004.12.15
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
金容期
分类号
G11C11/4096
主分类号
G11C11/4096
代理机构
代理人
何金涂;林荣琳
主权项
地址
韩国
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