发明名称 于积体电路制造中之监视电解抛光制程
摘要 一种形成在用于积体电路制造中之晶圆上的金属层的电解抛光制程包含旋转该晶圆。当晶圆被旋转时,一电解质流经由一喷嘴施加至在晶圆上之第一径向位置上的金属层。电解抛光制程系藉由量测在该第一径向位置的电阻加以监视。在该第一径向位置所量测得之电阻系与相关于该第一径向位置的第一预设电阻相比较。一施加至第一径向位置的电解抛光充电系基于在第一径向位置量测得之电阻与相关于该第一径向位置的第一预设电阻的比较而加以控制。在施加电解质流至第一径向位置后,电解质流系被施加在第二径向位置。在第二径向位置的电阻被量测。在第二径向位置所量测得之电阻系与一相关于该第二径向位置的第二预设电阻相比较,该第二预设电阻与该第一预设电阻不同。在第二径向位置所施加之电解抛光充电系基于第二径向位置所量测得之电阻与该相关于该第二径向位置之第二预设电阻加以控制。
申请公布号 TW200525622 申请公布日期 2005.08.01
申请号 TW093136793 申请日期 2004.11.26
申请人 ACM研究股份有限公司 发明人 王晖;叶亨利;王坚;郁兆祺
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国