氮化镓系化合物半导体发光元件及其负极

摘要

本发明之目的是提供一种可与n型氮化镓系化合物半导体发光元件获得良好的欧姆接触，且对因加热所引起之特性恶化具有抗性之具有优越生产性之负极。而且提供一种具备如此之负极的氮化镓系化合物半导体发光元件也是本发明之目的。本发明之氮化镓系化合物半导体发光元件，系将由氮化镓系化合物半导体所构成的n型半导体层、发光层及p型半导体层依此顺序而设置在基板上，且负极及正极系分别设在n型半导体层及p型半导体层；其特征为该正极至少具有接于该n型半导体层之接触金属层及接合垫层，且该接触金属层系Cr–Al合金。