一种全功能式半导体晶片研磨制程

摘要

一半导体晶片之一上表面(top surface)与一晶边表面(edge bevel surface)上分别形成有一第一与第二材料层。首先进行一表面化学机械研磨制程，以去除该上表面上之该第一材料层至一第一厚度。接着进行一晶边化学机械研磨制程，以去除该晶边表面上之该第二材料层至该晶片底材以改善粗糙度。最后进行一化学清洗(chemical cleaning)制程以清洗该晶边表面与该上表面，并乾燥该半导体晶片。