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发明名称
半导体发光元件及该制造方法
摘要
〔课题〕难以提高发光二极体的光取出效率。〔解决手段〕本发明系提供一种发光二极体,系具有:介以缓冲层(2)配置在矽支持基板(1)上的p型氮化物半导体层(3)、活性层(4)、n型氮化物半导体层(5)、以及电流分散层(6)。电流分散层(6)系由包含用来获得2次元电子气体效果的异质接合之复数层第1及第2层(9)、(10)的积层体所构成。由于具有2次元电子气体效果的电流分散层(6)之横向电阻小,因此产生电流的扩张,使光取出效率提升。电流分散层(6)系作为使第1电极(7)欧姆接触的区域之功能。
申请公布号
TW200525783
申请公布日期
2005.08.01
申请号
TW093132391
申请日期
2004.10.26
申请人
三肯电气股份有限公司
发明人
青柳秀和;大塚康二;佐藤雅裕
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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