光子晶体发光装置

摘要

本发明揭示一种光子晶体结构，其系形成于一Ⅲ族氮化物发光装置之n型层中。在某些具体实施例中，该光子晶体n型层系形成于一穿隧接面上。该装置包括一第一导电率类型的第一层、一第二导电率类型的第一层以及分隔该第一导电率类型之第一层与该第二导电率类型之第一层的一作用区域。该穿隧接面包括一第一导电率类型的第二层与一第二导电率类型的第二层，并将该第一导电率类型之第一层与该第一导电率类型之一第三层隔开。一光子晶体结构系形成于该第一导电率类型之该第三层之中。