半导体装置及其制造方法

摘要

本发明目的在于提供防止凹陷的发生，减低电阻元件的寄生电容，实现高性能的电路动作的SOI(矽在绝缘层上)装置。于电阻区域RR，在对应螺旋形电感器SI配设区域的SOI层3的表面上配设复数个以SOI层3介于其间的沟槽隔离绝缘膜4，于各沟槽隔离绝缘膜4上分别配设电阻元件30。沟槽隔离绝缘膜4具有混合隔离构造，其由在部分形成贯通SOI层3并到达埋设氧化膜2的完全隔离构造，以及在二端缘部形成其下部具有SOI层3的局部隔离构造所构成。