半导体层序列用之承载层及半导体晶片之制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体层序列用之承载层(1)，该承载层(1)包含一种电性隔离层(2)，该隔离层(2)含有陶瓷或A1N。此外，本发明涉及一种半导体晶片之制造方法。