| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,系使用,具备有:复数条内部引线;与其一体形成的复数条外部引线;接合于上述复数条内部引线前端部的片状构件的引线框架所装配的半导体装置的制造方法,其特征为,具有:(a)准备,上述片状构件与上述复数条内部引线的前端部经由绝缘性的热可塑性接合材接合在一起的上述引线框架的过程;(b)将上述引线框架配置在工作台上的过程;以及(c)将半导体晶片配置在上述引线框架的上述片状构件上,经由经过加热使其软化的上述热可塑性接合材料,将上述半导体晶片接合在上述片状构件的过程,在上述(c)过程,将上述复数条内部引线的前端部挤压在上述工作台侧,以这种状态接合上述半导体晶片与上述热可塑性接合材料。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中,上述引线框架在上述复数条内部引线内侧有四角形环状的杆状引线,而在上述(c)过程,将上述复数条内部引线的前端部及上述杆状引线挤压在上述工作台侧,以这种状态接合上述半导体晶片与上述热可塑性接合材料。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中,上述热可塑性接合材料的玻璃转移温度是250℃以上。4.一种半导体装置的制造方法,系使用,具备有:复数条内部引线;与其一体形成的复数条外部引线;接合于上述复数条内部引线前端部的片状构件的引线框架所装配的半导体装置的制造方法,其特征为,具有:(a)准备,上述片状构件与上述复数条内部引线的前端部经由绝缘性的热可塑性接合材接合在一起,在上述片状构件的上述引线框架内侧形成有第1贯穿孔的上述引线框架的过程;(b)将半导体晶片搭载于上述引线框架的上述片状构件上的过程;(c)藉由导电性的导线,以电气方式连接上述半导体晶片的电极与相对应的上述内部引线的过程;(d)在由第1模具与第2模具形成一对的成型模具中,将上述引线框架的未搭载上述半导体晶片的背面,配置在形成有闸口的模具的模具面上,然后,将上述第1模具及第2模具箝位的过程;以及(e)从上述闸口将封装用树脂注入上述模具的模腔内,令上述封装树脂从上述引线框架的上述背面侧通过上述第1贯穿孔,将配置在表面侧的上述导线挤向上方,而填充在上述模腔内的过程。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置的制造方法,其中,上述引线框架在上述复数条内部引线内侧有四角形环状的杆状引线,而在上述(e)过程,令上述封装树脂通过形成在上述内部引线与上述杆状引线间的上述第1贯穿孔,将上述导线挤向上方,而填充在上述模腔内。6.如申请专利范围第4项所述之半导体装置的制造方法,其中,上述片状构件是热量扩散器,在上述热量扩展器形成有上述第1贯穿孔。7.一种半导体装置的制造方法,系使用,具备有:复数条内部引线;与其一体形成的复数条外部引线;接合于上述复数条内部引线前端部的片状构件的引线框架所装配的半导体装置的制造方法,其特征为,具有:(a)准备,上述片状构件与上述复数条内部引线的前端部经由绝缘性的热可塑性接合材接合在一起,在上述片状构件上,经由上述接合构件配置较半导体晶片的背面小的晶片搭载部,在上述晶片搭载部的周围形成第2贯穿孔的上述引线框架的过程;(b)将半导体晶片搭载于上述引线框架的上述片状构件上的上述晶片搭载部的过程;(c)藉由导电性的导线,以电气方式连接上述半导体晶片的电极与相对应的上述内部引线的过程;(d)在由第1模具与第2模具形成一对的成型模具中,将上述引线框架的未搭载上述半导体晶片的背面,配置在形成有闸口的模具的模具面上,然后,将上述第1模具及第2模具箝位的过程;以及(e)从上述闸口将封装用树脂注入上述模具的模腔内,令上述封装树脂从上述引线框架的上述背面侧通过上述第1贯穿孔进入表面侧,供给上述半导体晶片的背面,填充在上述模腔内的过程。8.如申请专利范围第5项所述之半导体装置的制造方法,其中,上述片状构件在上述引线框架内侧形成有第1贯穿孔,而在上述(e)过程,从上述闸口将封装用树脂注入上述模具的模腔内,令上述封装用树脂从上述引线框架的上述背面侧通过上述第1贯穿孔将配置在表面侧的上述导线挤向上方,而填充在上述模腔内。9.如申请专利范围第8项所述之半导体装置的制造方法,其中,上述引线框架在上述复数条内部引线内侧有四角形环状的杆状引线,而在上述(e)过程,令上述封装树脂通过形成在上述内部引线与上述杆状引线间的上述第1贯穿孔,将上述导线挤向上方,而填充在上述模腔内。10.一种半导体装置的制造方法,系使用,具备有:复数条内部引线;与其一体形成的复数条外部引线;接合于上述复数条内部引线前端部的片状构件的引线框架所装配的半导体装置的制造方法,其特征为,具有:(a)准备,具有配置在4个内部引线群内侧的框状引线,上述片状构件与上述复数条内部引线的前端部,及上述片状构件与上述框装引线是经由接合剂接合在一起的引线框架的过程;(b)在上述引线框架的上述片状构件的上述框状引线内侧搭载半导体晶片的过程;(c)藉由导电性的导线,以电气方式连接上述半导体晶片的电极与相对应的上述内部引线的过程;(d)在由第1模具与第2模具形成一对的成型模具的模腔内,配置上述半导体晶片与上述导线,然后,将上述第1模具及第2模具箝位的过程;以及(e)将封装用树脂注入上述模腔内,藉由上述框状引线阻止上述封装用树脂流进上述内部引线侧,以这种状态将上述封装用树脂填充在上述模腔内的过程。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置的制造方法,其中,上述框状引线是并排成复数列配置。12.一种半导体装置的制造方法,系使用,具备有:复数条内部引线;与其一体形成的复数条外部引线;接合于上述复数条内部引线前端部的片状构件的引线框架所装配的半导体装置的制造方法,其特征为,具有:(a)准备,具有配置在4个内部引线群内侧的框状引线,及连结于此框状引线的角部的拉出用引线,上述片状构件与上述复数条内部引线的前端部,及上述片状构件与上述框装引线是经由接合剂接合在一起的引线框架的过程;(b)在上述引线框架的上述片状构件的上述框状引线内侧搭载半导体晶片的过程;(c)藉由导电性的导线,以电气方式分别连接上述半导体晶片的电极与相对应的上述内部引线,及上述半导体晶片的电极与避开上述框状引线的角部的部位的过程;(d)由第1模具与第2模具形成一对,闸口形成在模腔的角部的成型模具的上述模腔内,配置上述半导体晶片与上述导线,然后,将上述第1模具及第2模具箝位的过程;以及(e)从上述闸口将封装用树脂注入上述模具的模腔内,令上述封装用树脂沿着连结上述框状引线的上述拉出用引线扩散,将上述封装用树脂填充在上述模腔内的过程。图式简单说明:第1图系表示本发明实施形态1的半导体装置的构造的一个例子的截面图。第2图系表示装配第1图所示半导体装置所用引线框架的构造的一个例子的截面图。第3图系表示装配第1图所示半导体装置在晶片焊接时的晶片运送状态的一个例子的截面图。第4图系表示装配第1图所示半导体装置在晶片焊接时的晶片压接状态的一个例子的截面图。第5图系表示装配第1图所示半导体装置在晶片焊接后的状态的一个例子的截面图。第6图系表示装配第1图所示半导体装置在线焊接后的状态的一个例子的截面图。第7图系表示装配第1图所示半导体装置在树脂成型时的模具箝位状态的一个例子的截面图。第8图系表示装配第1图所示半导体装置在树脂成型时注入树脂状态的一个例子的截面图。第9图系表示装配第1图所示半导体装置在结束树脂成型时的构造的一个例子的截面图。第10图系表示本发明实施形态2的半导体装置的构造的一个例子的截面图。第11图系表示装配第10图所示半导体装置所用引线框架的构造的一个例子的平面图。第12图系表示装配第10图所示半导体装置在晶片焊接后的状态的一个例子的截面图。第13图系表示装配第10图所示半导体装置在线焊接后的状态的一个例子的截面图。第14图系表示装配第10图所示半导体装置在树脂成型时的模具箝位状态的一个例子的截面图。第15图系表示装配第10图所示半导体装置在树脂成型时注入树脂状态的一个例子的截面图。第16图系表示装配第10图所示半导体装置在结束树脂成型时的构造的一个例子的截面图。第17图系表示装配本发明实施形态3的半导体装置时的配线状态的一个例子的平面图。第18图系表示装配本发明实施形态4的半导体装置时的配线状态的一个例子的平面图。 |
