发明名称 改良之转换器
摘要 一种用于声音再制及/或记录之改良转换器,其主要系由一薄膜(2)组成,于该薄膜上提供有一只或多部件组合之压电元件(4),其特性系该薄膜(2)是由两个或数个层(6-7)所组成,其之至少一层(7)系由聚合物所制成。
申请公布号 TWI237512 申请公布日期 2005.08.01
申请号 TW092127778 申请日期 2003.10.07
申请人 桑尼特龙公司 发明人 胡勾米契尔斯
分类号 H04R17/00 主分类号 H04R17/00
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;李明宜 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种改良之转换器,用于声音再制及/或记录,其主要系由一薄膜(2)组成,于该薄膜上提供有一只或多部件组合之压电元件(4),其特征为该薄膜(2)是由两层或数层(6-7)所组成,至少一层(7)系由聚合物所制成,填充有或未填充有各向异性纤维结构或各向同性之机织合成纤维。2.如申请专利范围第1项之改良之转换器,其中该薄膜(2)之一或数层(6)系由金属或一金属合金所制成。3.如申请专利范围第1项之改良之转换器,其中该薄膜之该上述层(6)及∕或(7)系被黏着在一起。4.如申请专利范围第2项之改良之转换器,其中该压电元件之该端上的外层系一由金属所制之层(6)。5.如申请专利范围第1项之改良之转换器,其中该压电元件(4)系被黏着至该薄膜(2)。6.如申请专利范围第1项之改良之转换器,其中该薄膜(2)之一或数层(7)系由一泡沬状聚合物所制成。7.如申请专利范围第1项之改良之转换器,其中该薄膜(2)之一或数层(7)系由一已膨胀之聚合物所制成。8.如申请专利范围第1项之改良之转换器,其中该薄膜(2)之一或数层(7)系由一已模造之聚合物所制成。9.如申请专利范围第2项之改良之转换器,其中由金属所制成之该些层(6)系由一薄箔所制成。10.如申请专利范围第1项之改良之转换器,其中该薄膜(2)系被黏着至一支撑物(1)。11.如申请专利范围第10项之改良之转换器,其中该支撑物系由一装置之一外壳(9)的侧壁(8)所制成。12.如申请专利范围第1项之改良之转换器,其中该薄膜(2)之一或数层(6)及∕或(7)系一侧壁(8)之其中部分,尤其系一装置之一外壳(9)的侧壁(8)。13.如申请专利范围第1项之改良之转换器,其中该压电元件(4)之周边形状系异于该薄膜(2)之周边形状。14.如申请专利范围第1项之改良之转换器,其中一或数个凹槽(11)系被设置于该薄膜(2)中。图式简单说明:第1图系以图解方式描绘一依据本发明之改良转换器;第2图系第1图中箭头F2所指之一立视图;第3图系第1图F3所标示之较大尺度的部分;第4图至第7图系表示第3图之变化;第8图及第9图系一被设置于一外壳内之改良转换器;第10图至第15图系表示第2图之变化,但是系以较小尺度范围显示;第16图系表示第1图之一变化;第17图系第16图中箭头17所指示之一立视图;第18图及第19图系一被设置于一外壳内之改良转换器的其他实施例。
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