| 主权项 |
1.一种漏氧检测方法,该方法包含有:提供一检测晶片,该检测晶片系包含有一基板、以及一金属薄膜形成于该基板上,且该金属薄膜系具有一第一颜色;将该检测晶片由一装载室载入一反应室中,随后并卸出该检测晶片;以及观察该检测晶片之表面,以获得一第二颜色,并且当该第二颜色异于该第一颜色时,该装载室内系已发生氧气渗入之情形。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属薄膜系为一钨(tungsten)金属薄膜,并且该第一颜色系为金色(gold)。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该基板系为一矽基板,并且该检测晶片另包含有一氮化钛层(titanium nitride,TiN),形成于该钨金属薄膜与该矽基板之间,用来提升该钨金属薄膜对该矽基板的附着能力。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该装载室与该反应室系装设于一垂直式反应炉(vertical-typeprocessing furnance)之内,并且该垂直式反应炉系另包含有:一晶舟(wafer boat),设置于该装载室之内并系用来装载该半导体晶片;以及一晶舟升降器(boat elevator),用来将晶舟移动于该装载室与该反应室之间。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该方法另包含有待续地通入氮气于该装载室内,而氮气之流速系介于100L/min与200L/min之间。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该反应室之温度系介于600℃与800℃之间。7.一种漏氧检测方法,该方法包含有:提供一检测晶片,该检测晶片系包含有一基板、以及一测试薄膜形成于该基板上,且该测试薄膜系具有一第一颜色;将该检测晶片由一装载室载入一反应室中,随后并取出该检测晶片;以及观察该检测晶片之表面,以获得一第二颜色,并且当该第二颜色异于该第一颜色时,该装载室内系已发生氧气渗入之情形。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该基板系为一矽基板,而该测试薄膜系为一金属薄膜。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该检测晶片另包含有一缓冲薄膜,形成于该金属薄膜与该矽基板之间,用来提升该金属薄膜对该矽基板的附着能力。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该金属薄膜系为一钨金属薄膜,且该第一颜色系为金色,而该缓冲薄膜系为一氮化钛层。11.如申请专利范围第7项之方法,其中该方法另包含有持续地通入氮气于该装载室内,而氮气之流速系介于100L/min与200L/min之间。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该反应室之温度系介于600℃与800℃之间。图式简单说明:图一系为一垂直式反应炉之示意图。图二系为制作一氮化矽层26之方法示意图。图三系为本发明较佳实施例所使用之检测晶片示意图。图四与图五系为本发明较佳实施例所使用之垂直式反应炉的操作示意图。图六系为本发明较佳实施例之漏氧检测方法的流程图。 |
