| 主权项 |
1.一种记忆及存取装置,包含:一记忆体组件;一第一存取元件,其系耦合至该记忆体组件,其中该第一存取元件包含一种第一硫族化物材料;以及一第二存取元件,其系耦合至该第一存取元件,其中该第二存取元件包含一种第二硫族化物材料。2.如申请专利范围第1项之记忆及存取装置,进一步包含一立式结构于一基材上,其中该立式结构包含该第一存取元件、该第二存取元件、以及彼此串联耦合之记忆体组件。3.如申请专利范围第1项之记忆及存取装置,其中该第一存取元件、该第二存取元件及记忆体组件系使用薄膜材料制成。4.如申请专利范围第1项之记忆及存取装置,其中该第二存取元件系于第一存取元件上,以及该第一存取元件系于记忆体组件上。5.如申请专利范围第1项之记忆及存取装置,其中该第一选择元件包括一种切换材料,其系呈实质非晶态,及其适合藉施加预定电压或预定电流,而重复且可逆地介于较高电阻态与相对较低电阻态间切换。6.如申请专利范围第1项之记忆及存取装置,其中该记忆体组件包含一种相变式材料,经由施加电流至相变式材料,变更相变式材料之相介于实质结晶态与实质非晶态间改变,该相变式材料经程式规划呈至少两种记忆体态之一,其中呈实质非晶态之相变式材料之电阻系高于呈实质结晶态之相变式材料之电阻。7.如申请专利范围第1项之记忆及存取装置,其中该记忆体组件包含一种记忆体材料于一基材上;以及其中该第一硫族化物材料系于记忆体材料上,以及该第二硫族化物之材料系于第一硫族化物材料上。8.如申请专利范围第7项之记忆及存取装置,进一步包含:一第一电极介于该记忆体材料与该第一硫族化物材料间;以及一第二电极介于该第一硫族化物材料与该第二硫族化物材料间。9.如申请专利范围第8项之记忆及存取装置,其中该第一电极及该第二电极为碳薄膜。10.如申请专利范围第7项之记忆及存取装置,其中该第一硫族化物、第二硫族化物及记忆体材料各自包含碲。11.如申请专利范围第7项之记忆及存取装置,其中该第一硫族化物材料为一种选自矽、碲、砷、锗、及其组合组成的组群之材料。12.如申请专利范围第7项之记忆及存取装置,其中该记忆体材料为一种碲、锑、锗合金。13.一种记忆及存取装置,包含:一第一硫族开关;一第二硫族开关,其系耦合至该第一硫族开关;以及一记忆体组件,其系耦合至该硫族开关。14.如申请专利范围第13项之记忆及存取装置,其中该记忆体组件、该第一硫族开关及该第二硫族开关系使用薄膜材料制成。15.如申请专利范围第13项之记忆及存取装置,进一步包含一立式结构于一基材上,其中该立式结构包含该第一硫族开关、第二硫族开关及记忆体组件彼此串联耦合。16.一种记忆及存取装置,包含:一记忆体材料于一基材上;一第一电极于该记忆体材料上;一第一硫族化物材料于该第一电极上;一第二电极于该第一硫族化物材料上;以及一第二硫族化物材料于该第二电极上。17.如申请专利范围第16项之记忆及存取装置,其中该记忆体材料、第一电极、第一硫族化物材料、第二电极及第二硫族化物材料形成于该基材上之一立式堆叠之一部分。18.如申请专利范围第16项之记忆及存取装置,其中该记忆体材料、第一电极、第一硫族化物材料、第二电极及第二硫族化物材料各自为薄膜材料。19.一种记忆及存取装置,包含:一记忆体晶胞,其具有维持电压,其中该记忆体晶胞包含:一记忆体组件;以及至少二串联耦合存取元件,其系耦合至该记忆体组件俾提高记忆体晶胞之维持电压。20.如申请专利范围第19项之记忆及存取装置,其中该记忆体组件包含一种相变式材料;以及其中该二串联耦合存取元件中之一第一存取元件包括第一硫族化物材料;以及其中该二串联耦合存取元件中之第二存取元件包含第二硫族化物材料。21.如申请专利范围第20项之记忆及存取装置,其中该第一硫族化物材料系与该第二硫族化物材料不同。22.如申请专利范围第19项之记忆及存取装置,其中该至少二串联耦合存取元件中之一第一存取元件、该至少二串联耦合存取元件中之一第二存取元件以及该记忆体组件系使用薄膜材料制成。23.一种记忆及存取系统,包含:一处理器;一无线介面,其系耦合至该处理器;以及一记忆体,其系耦合至该处理器,该记忆体包括:一记忆体组件;一第一存取元件,其系耦合至该记忆体组件,其中该第一存取元件包含一种第一硫族化物材料;以及一第二存取元件,其系耦合至该第一存取元件,其中该第二存取元件包含一种第二硫族化物材料。24.如申请专利范围第23项之记忆及存取系统,其中该记忆体组件包含一种记忆体材料于一基材上;以及其中该第一硫族化物材料系于记忆体材料上,以及该第二硫族化物之材料系于第一硫族化物材料上。25.如申请专利范围第23项之记忆及存取系统,其中该记忆体进一步包含一立式结构于一基材上,其中该立式结构包含该第一存取元件、该第二存取元件及该记忆体组件彼此串联耦合。图式简单说明:第1图为示意图显示根据本发明之一具体实施例之记忆体;以及第2图为根据本发明之具体实施例于第1图所示记忆体部分之剖面图;第3图为线图显示一记忆体晶胞之电流-电压特性;以及第4图为线图显示一选择元件之电流-电压特性。 |
