发明名称 发光二极体(Light Emitting Diode, LED)之封装结构
摘要 一种发光二极体封装结构,包括一双层式基板、一主体与一发光二极体晶片。其中,双层式基板系由一散热片与一线路板(circuit board)所构成。线路板系堆叠于散热片之上表面。并且,此双层式基板具有至少二个穿孔贯穿前述线路板与散热片。此穿孔上端之开口系小于其下端之开口。主体系制作于线路板之上表面,并具有一开口以曝露线路板。此主体并具有至少两个延伸部充满于前述穿孔中,以为固定。发光二极体晶片系设于主体之开口内,并电连接至线路板。
申请公布号 TWI237408 申请公布日期 2005.08.01
申请号 TW093126783 申请日期 2004.09.03
申请人 齐瀚光电股份有限公司 发明人 刘家齐
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 李长铭 台北市中山区南京东路2段53号9楼
主权项 1.一种发光二极体(Light Emitting Diode, LED)封装结构,包括:一双层式基板,系由一散热片与一第一线路板(circuit board)所构成,该第一线路板系堆叠于该散热片之上表面,并且,该双层式基板具有至少二个穿孔贯穿该第一线路板与该散热片,该穿孔上端之开口系小于其下端之开口;一主体,位于该第一线路板之上表面,具有一开口以曝露该第一线路板,并且,该主体具有至少两个延伸部充满于该穿孔中,以固定该主体;以及一发光二极体晶片,系设于该主体之开口内,并电连接至该第一线路板。2.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其中,该发光二极体晶片系以覆晶方式设于该第一线路板上。3.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其中,该穿孔可以区分为上下两个相互连通之圆柱孔,其中,该上圆柱孔之直径系小于该下圆柱孔之直径。4.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其中,该第一线路板包括一绝缘基板与制作于该绝缘基板上表面之导电图案。5.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其中,该导电图案系由铜箔所构成。6.如申请专利范围第4项之发光二极体封装结构,其中,该双层式基板上具有至少两个导电插塞,贯穿该双层式基板,并且连接至该导电图案。7.如申请专利范围第4项之发光二极体封装结构,其中,该导电图案系包括至少两个接触垫图案分别电连接至该发光二极体晶片之阳极与阴极。8.如申请专利范围第6项之发光二极体封装结构,更包括一第二线路板形成于该散热片之下表面,而该导电插塞系电连接该第一线路板与该第二线路板。9.如申请专利范围第8项之发光二极体封装结构,其中,该第二线路板包括一绝缘基板与一制作于该绝缘基板下表面之导电图案。10.如申请专利范围第9项之发光二极体封装结构,其中,该导电图案系由铜箔所构成。11.如申请专利范围第8项之发光二极体封装结构,其中,该导电图案包括至少两个接触垫图案分别电连接至该些导电插塞。12.如申请专利范围第6项之发光二极体封装结构,其中,该导电插塞之侧面系覆盖有一绝缘层,以电隔绝该导电插塞与该散热片。13.如申请专利范围第6项之发光二极体封装结构,其中,该导电插塞系由铜或铝所构成。14.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其中,该主体系由塑胶材料所构成。15.如申请专利范围第14项之发光二极体封装结构,其中,该主体系利用射出成形(insert molding)之方式所制作。16.如申请专利范围第14项之发光二极体封装结构,其中,该主体内系掺杂有二氧化钛粉末。17.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其中,该散热片系由金属材料所构成。18.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其中,该散热片系由铜或铝所构成。19.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其中,至少两个该穿孔系位于该发光二极体晶片之两侧。20.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,更包括一透光层填入该主体之开口内,并且覆盖该发光二极体晶片。21.如申请专利范围第20项之发光二极体封装结构,其中,该透光层之上表面系呈现双曲线之曲面。22.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其中,该开口之侧壁的表面具有金属镀层。23.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,更包括至少一散热鳍片连接至该散热片之侧面。图式简单说明:第一图系一传统发光二极体封装结构之剖面示意图。第二A图系本发明发光二极体封装结构一较佳实施例之俯视示意图。第二B图系对应于第二A图内a1-a2剖面之剖面示意图。第二C图系对应于第二A图内a1-a3剖面之剖面示意图。第三图系本发明发光二极体封装结构另一较佳实施例之俯视示意图。第四图系本发明发光二极体封装结构又一较佳实施例之俯视示意图。第五图系本发明发光二极体封装结构再一较佳实施例之俯视示意图。
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