| 主权项 |
1.一种感知器阵列,用于接收已聚焦的地表毫米波影像,其中各感知器指的是天线耦合式高温超导体弱联结器,其中各天线耦合式高温超导体弱联结器可直接侦测入射的毫米波辐射,且各感知器系相互独立以藉此提供影像代表信号的对应像素组。2.如申请专利范围第1项之感知器阵列,其中各弱联结器指的都是乔瑟佛生(Josephson)接面。3.如申请专利范围第1项之感知器阵列,其中各弱联结器指的都是微型电桥。4.如申请专利范围第3项之感知器阵列,其中各微型电桥指的都是c-轴微型电桥。5.如申请专利范围第4项之感知器阵列,其中各c-轴微型电桥指的都是跨越式微型电桥。6.如申请专利范围第4项之感知器阵列,其中各c-轴微型电桥指的都是阶梯式微型电桥。7.如申请专利范围第2项之感知器阵列,其中该乔瑟佛生接面具有一阻挡层(barrier)。8.如申请专利范围第1至7项中任一项之感知器阵列,其中各弱联结器都是由高温超导体材料RBa2Cu3OX制成,其中R指的是钇或是稀土族元素。9.如申请专利范围第1至7项中任一项之感知器阵列,进一步包括用以使各感知器维持在实质上低于超导性临界温度TC的机制。10.如申请专利范围第1至7项中任一项之感知器阵列,系藉由磊晶成长及图案制作法的制程依一体方式形成的。11.如申请专利范围第1至7项中任一项之感知器阵列,进一步设置有用于使各感知器呈电气偏移的机制。12.如申请专利范围第1至7项中任一项之感知器阵列,进一步设置有用以依电气方式从各感知器读出各信号的机制。13.一种感知器元件,包括如申请专利范围第1至7项中任一项之一感知器阵列以及一透镜或透镜阵列,其中该感知器阵列系紧邻或接触该透镜或透镜阵列。14.如申请专利范围第13项之感知器元件,其中使基准面落在该积体阵列,远离该透镜的一侧上。15.如申请专利范围第13项之感知器元件,其中该光学液浸透镜配置会从该感知器阵列上热解耦来。16.一种造影配置,包括如申请专利范围第1到7项中任一项之感知器阵列,及用以将毫米波影像聚焦于该感知器阵列上的造影用光学元件,其中该造影用光学元件指的是或包含一透镜或透镜阵列,其中该感知器阵列会依紧邻或接触该透镜或透镜阵列的方式配置或牢牢地固定其上,以致该透镜或透镜阵列会扮演着液浸透镜的角色。17.如申请专利范围第16项之造影配置,其中该造影用光学元件系包括具有邻近但是与该透镜或透镜阵列间隔开而相当暖之高光学功率透镜元件的双透镜,且其上牢牢地固定有感知器阵列以便进行光学液浸作用。18.如申请专利范围第16项之造影配置,其中使一基准面落在该积体阵列上远离该液浸透镜的一侧上。19.如申请专利范围第16项之造影配置,其中该光学液浸透镜配置会从该感知器阵列上热解耦来。图式简单说明:第1图系用以显示一种根据本发明之毫米波造影机的示意图。第2图系用以显示一种根据本发明第一实施例由四个耦合于天线上之HTS跨越式c-轴微型电桥(CAM)约瑟生接面构成之阵列积体电路设计的示意图,其中该阵列适合当作第1图中毫米波造影机内的直接侦测器。第3图系用以显示一种适合用在第2图中电路设计内之跨越式CAM结构的示意图。第4a到4f图显示的是用于第3图中CAM之制造方法的示意图。第5图系用以显示一种根据本发明第二实施例由八个耦合于天线上之HTS阶梯式CAM构成之阵列积体电路设计的示意图,其中该阵列适合当作第1图中毫米波造影机内的直接侦测器。第6图系用以显示一种适合用在第5图中电路设计内之CAM结构的示意图。第7图系用以显示一种适合用在第1图中造影机内之热中断器型式的示意图。第8图系用以显示第1图中造影机内透镜及侦测器配置之装设作业的示意图。第9a和9b图系用以显示该阵列内各侦测器到第1图中造影机内所用电流供应器和低杂讯放大器上之电气连接结构的示意图。第10图显示的是一种阶梯式CAM接面对100十亿赫辐射的回应。 |
