| 主权项 |
1.一种利用雷射切割砷化镓晶片之装置,包括:一工作平台,其系设置有一真空装置,以利用该真空装置固定一砷化镓晶片,该砷化镓晶片上系设置有数晶粒,并于每二该晶粒间刻划有一刻划线;至少一雷射,用以切割该砷化镓晶片,以分割出该等晶粒;一控制装置,其系连接并控制该工作平台及该雷射,以改变该工作平台及该雷射之位置,使该雷射依序对准该砷化镓晶片上之该等刻划线,进而切割该砷化镓晶片;以及一废气排放装置,排出该雷射切割该砷化镓晶片时所产生的废气及粉末。2.如申请专利范围第1项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之装置,其中,该工作平台系设置于一真空室中。3.如申请专利范围第1项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之装置,其中,该砷化镓晶片系黏贴于一胶布上。4.如申请专利范围第1项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之装置,更包括至少一导光装置,其系连接该雷射、该控制装置及该工作平台,用以引导该雷射射向该砷化镓晶片之方向,以切割该砷化镓晶片。5.如申请专利范围第1项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之装置,更包括至少一视讯装置,系受控于该控制装置,以观看该雷射是否准确对准该砷化镓晶片上之该等刻划线。6.如申请专利范围第5项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之装置,其中,该视讯装置位于该工作平台上方或下方。7.如申请专利范围第1项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之装置,更包括一焦距调整元件,其系设置于该砷化镓晶片及该雷射间,以调整该雷射对准该等刻划线之焦距。8.如申请专利范围第6项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之装置,其中,该焦距调整元件系设置于一接物镜上。9.如申请专利范围第1项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之装置,其中,该控制装置系为电脑。10.如申请专利范围第1项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之装置,其中,该废气排放装置系包含一粉末移除装置及一气体排放装置。11.一种利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其步骤包括:提供一砷化镓晶片,其上设置有数晶粒,且每二该晶粒间刻划有一刻划线;安装该砷化镓晶片于一工作平台上;调整一雷射与该工作平台之位置,以使该雷射准确对准该砷化镓晶片上一欲切割之刻划线;输入欲切割之该刻划线之长度及下一条欲切割之刻划线之距离至该控制装置;以及依序切割该等刻划线,以切割该砷化镓晶片,而分割出该等晶粒。12.如申请专利范围第11项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其中,该砷化镓晶片系先黏贴于一胶布上,再安装至该工作平台上。13.如申请专利范围第11项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其中,该砷化镓晶片系于真空环境下安装于该工作平台上。14.如申请专利范围第11项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其中,该工作平台系利用一真空装置以固定该砷化镓晶片。15.如申请专利范围第11项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其中,该雷射与该工作平台系利用该控制装置以调整X、Y轴位置,以使该雷射准确对准该砷化镓晶片上欲切割之该刻划线。16.如申请专利范围第11项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其中,该雷射与该工作平台系利用一焦距调整元件以调整Z轴位置,而调整该雷射对准该等刻划线之焦距。17.如申请专利范围第11项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其中,该雷射准确对准该砷化镓晶片上一欲切割之刻划线之步骤中,同时利用至少一视讯装置以观看该雷射是否准确对准该刻划线。18.如申请专利范围第11项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其中,该雷射切割该等刻划线之深度大于该砷化镓晶片厚度之1/10。19.如申请专利范围第18项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其中,该雷射依序切割该等刻划线之步骤中,同时利用一废气排放装置以排放切割时所产生的废气及粉末。20.如申请专利范围第11项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其中,该雷射切割该等刻划线之步骤后,该雷射自动停止。21.如申请专利范围第20项所述之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法,其中,该雷射自动停止之步骤后,关闭该工作平台之真空装置,以取出切割完成之该砷化镓晶片。图式简单说明:第1图为本发明之利用雷射切割砷化镓晶片之装置之方块示意图。第2图为本发明之利用雷射切割砷化镓晶片之切割方法之步骤流程图。 |
