| 主权项 |
1.一种气体感测器,其包括:一绝缘基底,形成于绝缘基底之复数电极,及,一形成于绝缘基底之感测膜,其包括感测微粒,并至少覆盖于两电极之表面,其中,至少一电极形成有若干分隔设置之容纳结构,其分别容纳有感测微粒。2.如申请专利范围第1项所述之气体感测器,其中,上述感测微粒之组成包括氧化锡、氧化钨或氧化锌。3.如申请专利范围第1项所述之气体感测器,其中,上述感测微粒粒径范围为5~100奈米。4.如申请专利范围第1项所述之气体感测器,其中,上述容纳结构为微孔结构。5.如申请专利范围第4项所述之气体感测器,其中,上述微孔之孔径为上述感测微粒粒径之2~3倍。6.如申请专利范围第5项所述之气体感测器,其中,上述微孔之深度为上述微孔孔径之10倍。7.如申请专利范围第1项所述之气体感测器,其中,上述容纳结构为沟道结构。8.如申请专利范围第7项所述之气体感测器,其中,上述沟道之平均宽度为上述感测微粒粒径之2~3倍。9.如申请专利范围第7项所述之气体感测器,其中,上述沟道之深度为上述沟道平均宽度之10倍。10.如申请专利范围第1项所述之气体感测器,其中,上述绝缘基底之材料包括石英、陶瓷或氮化矽。11.如申请专利范围第1项所述之气体感测器,其中,上述感测膜可通过溶胶-凝胶法、溅镀法或沈积法形成于上述绝缘基底上。12.如申请专利范围第1项所述之气体感测器,其中,上述电极通过沈积法或溅镀法形成于上述绝缘基底上。13.如申请专利范围第1项所述之气体感测器,其中,上述容纳结构可通过蚀刻或光刻等方法形成于上述电极上。14.如申请专利范围第1项所述之气体感测器,其中,上述气体感测器进一步包括一加热装置。15.一种气体感测器,其包括:一绝缘基底,形成于绝缘基底之复数电极层,一形成于绝缘基底之感测膜,其包括感测微粒,并至少覆盖于两电极层之表面,其中,绝缘基底包括若干分隔设置之容纳结构,至少一电极层覆盖于绝缘基底之容纳结构之内壁,至少部分感测微粒容纳于该分隔设置之容纳结构。16.如申请专利范围第15项所述之气体感测器,其中,上述感测微粒之组成包括氧化锡、氧化钨或氧化锌。17.如申请专利范围第15项所述之气体感测器,其中,上述感测微粒粒径范围为5~100奈米。18.如申请专利范围第15项所述之气体感测器,其中,上述容纳结构为微孔结构或沟道结构。19.如申请专利范围第15项所述之气体感测器,其中,上述容纳结构可通过蚀刻或光刻等方法形成于上述绝缘基底上。20.如申请专利范围第15项所述之气体感测器,其中,上述气体感测器进一步包括一加热装置。图式简单说明:第一图系本发明第一实施方式之气体感测器之示意图;第二图系第一图所示气体感测器电极之局部放大示意图;第三图系本发明第二实施方式之气体感测器之示意图;第四图系第三图所示气体感测器电极之局部放大示意图。 |
