| 主权项 |
1.一种同平面切换模式(In-Plane Switching Mode)液晶显示单元之制造方法,其包含下列步骤:提供一绝缘基板;于该绝缘基板上形成一第一导体层,以一第一光罩微影蚀刻制程对其定义出一闸极导线构造、一梳状共同电极构造、一接线垫以及一梳状像素电极;于该绝缘基板上方依序形成一闸极绝缘层以及一半导体层,以一第二光罩微影蚀刻制程对该半导体层以及闸极绝缘层进行图案定义,用以形成一通道结构、一绝缘结构、一储存电容之介电层以及复数个导线交错绝缘结构;于该绝缘基板上方形成一高掺杂半导体层以及一第二导体层,以一第三光罩微影蚀刻制程于上定义出一源汲极构造、一资料导线、一连接电极以及一储存电容之上电极,其中该资料导线系覆盖于导线交错绝缘结构之上并连接至该汲极结构,该连接电极系连接于该源极结构与该梳状像素电极间,而该储存电容之上电极覆盖于该储存电容之介电层之上并连接于该梳状像素电极;以及于该绝缘基板中除部份接线垫外之区域上方形成一保护结构。2.如申请专利范围第1项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该保护结构之形成方法包含下列步骤:于该绝缘基板上方形成一保护层;以一第四光罩微影蚀刻制程对该保护层进行定义,进而形成于该接线垫上具有一接线透孔之一保护结构。3.如申请专利范围第1项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该保护结构之形成方法包含下列步骤:以一罩幕沉积法,于该绝缘基板中除部份接线垫外之区域上方完成一保护结构,用以于该接线垫上形成一接线透孔。4.如申请专利范围第1项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该绝缘基板系为一透光玻璃基板。5.如申请专利范围第1项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该第一导体层、第二导体层系选自铬、钼、钼化钽、钼化钨、钽、铝、铝化矽、铜等材质或其组合来完成。6.如申请专利范围第1项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该闸极绝缘层之材质系可选自氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氧化钽(TaOx)或氧化铝(AlOx)等材质或其组合。7.如申请专利范围第1项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该半导体层之材质系选自本质非晶矽(i-a-Si)或本质微晶矽(Micro-crystalline silicon)或本质多晶矽(Polycrystalline silicon)。8.如申请专利范围第1项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该高掺杂半导体层之材质系选自高掺杂之非晶矽(n+-a-Si)或高掺杂之微晶矽(n+-microcrystaline-Si;p+-microcrystaline-Si)或高掺杂多晶矽(n+-Polycrystalline silicon;p+-Polycrystalline silicon)。9.如申请专利范围第1项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该保护结构之材质系选自氮化矽或氮氧化矽(SiOxNy)或氧化矽(SiOx)来完成。10.如申请专利范围第1项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该梳状共同电极构造中所具有之一梳齿构造系平行交错设置于该梳状像素电极之一梳齿构造中。11.如申请专利范围第1项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该储存电容之介电层系覆盖于该梳状共同电极构造中所具有之一储存电容之下电极之上。12.一种可减少光罩数之液晶显示单元制造方法,其包含下列步骤:提供一绝缘基板;于该绝缘基板上形成一第一导体层,以一第一光罩微影蚀刻制程对其定义出一闸极导线构造、一梳状共同电极构造、一接线垫以及一梳状像素电极;于该绝缘基板上方依序形成一闸极绝缘层、一半导体层以及一高掺杂半导体层,以一第二光罩微影蚀刻制程对该高掺杂半导体层、半导体层以及闸极绝缘层进行图案定义,用以形成一通道结构、一绝缘结构、一储存电容之介电层以及复数个导线交错绝缘结构;于该绝缘基板上方形成一第二导体层,以一第三光罩微影蚀刻制程于该高掺杂半导体层定义出一源汲极结构,并于该第二导体层定义出一资料导线、一连接电极以及一储存电容之上电极,其中该资料导线系覆盖于导线交错绝缘结构之上并连接至该汲极结构,该连接电极系连接于该源极结构与该梳状像素电极间,而该储存电容之上电极覆盖于该储存电容之介电层之上并连接于该梳状像素电极;以及于该绝缘基板中除部份接线垫外之区域上方形成一保护结构。13.如申请专利范围第12项所述之可减少光罩数之液晶显示单元制造方法,其中该保护结构之形成方法包含下列步骤:于该绝缘基板上方形成一保护层;以一第四光罩微影蚀刻制程对该保护层进行定义,进而形成于该接线垫上具有一接线透孔之一保护结构。14.如申请专利范围第12项所述之可减少光罩数之液晶显示单元制造方法,其中该保护结构之形成方法包含下列步骤:以一罩幕沉积法,于该绝缘基板中除部份接线垫外之区域上方完成一保护结构,用以于该接线垫上形成一接线透孔。15.如申请专利范围第12项所述之可减少光罩数之液晶显示单元制造方法,其中该绝缘基板系为一透光玻璃基板。16.如申请专利范围第12项所述之可减少光罩数之液晶显示单元制造方法,其中该第一导体层、第二导体层系选自铬、钼、钼化钽、铂化钨、钽、铝、铝化矽、铜等材质或其组合来完成。17.如申请专利范围第12项所述之可减少光罩数之液晶显示单元制造方法,其中该闸极绝缘层之材质系可选自氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氧化钽(TaOx)或氧化铝(AlOx)等材质或其组合。18.如申请专利范围第12项所述之可减少光罩数之液晶显示单元制造方法,其中该半导体层之材质系选自本质非晶矽(i-a-Si)或本质微晶矽(Micro-crystalline silicon)或本质多晶矽(Polycrystalline silicon)。19.如申请专利范围第12项所述之可减少光罩数之液晶显示单元制造方法,其中该高掺杂半导体层之材质系选自高掺杂之非晶矽(n+-a-Si)或高掺杂之微晶矽(n+-microcrystaline-Si;p+-microcrystaline-Si)或高掺杂多晶矽(n+-Polycrystalline silicon;p+-Polycrystalline silicon)。20.如申请专利范围第12项所述之同平面切换模式液晶显示单元之制造方法,其中该保护结构之材质系选自氮化矽或氮氧化矽(SiOxNy)或氧化矽(SiOx)来完成。21.如申请专利范围第12项所述之可减少光罩数之液晶显示单元制造方法,其中该梳状共同电极构造中所具有之一梳齿构造系平行交错设置于该梳状像素电极之一梳齿构造中。22.如申请专利范围第12项所述之可减少光罩数之液晶显示单元制造方法,其中该储存电容之介电层系覆盖于该梳状共同电极构造中所具有之一储存电容之下电极之上。图式简单说明:第一图(a):其系一液晶显示器中一像素单元之电路示意图。第一图(b)(c):其系习用液晶显示器之两类显示单元之构造示意图。第二图(a)(b):第一种习用薄膜电晶体液晶显示器中一同平面切换模式(In-Plane Switching Mode,IPS Mode)像素单元之上视构造与沿AB线段之剖面示意图。第二图(c):其系习用薄膜电晶体液晶显示器中资料电压与穿透率之曲线呈不对称状态之曲线示意图。第三图(a)(b):第二种习用薄膜电晶体液晶显示器中一同平面切换模式(In-Plane Switching Mode,IPS Mode)像素单元之上视构造与沿AB线段之剖面示意图。第四图(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h):其系本案为改善上述习用手段而发展出来关于同平面切换模式(In-PlaneSwitching Mode)液晶显示单元之第一较佳实施例制程步骤及结构示意图第五图(a)(b)(c)(d):其系本案另一较佳实施例中与第一较佳实施例不同处之制程步骤及结构示意图。 |
