| 主权项 |
1.一种发出及/或接收电磁辐射之半导体组件,其具有至少一发出及/或接收电磁辐射之半导体晶片(1),该半导体晶片(1)配置在单件式之外壳基体(3)之凹口(2)中且该处以一种外罩材料(4)来覆盖,该外罩材料(4)可良好地透过一由半导体晶片(1)所发出及/或接收之电磁辐射,其特征为:-该外壳基体在该凹口(2)中具有:一晶片井(21),其中固定该半导体晶片(1);及一至少一部份围绕该晶片井(21)之沟渠(22),使该外壳基体(3)在晶片井(21)和该沟渠(22)之间具有一壁(23),其顶部由该晶片井(21)之底面观看时系位于该外壳基体(3)之该表面(由该表面开始该凹口(2)延伸至该外壳基体(3)中)之位准之下方,-该外罩材料(4)以单件方式形成且由该晶片井(21)露出而经由该壁接合在沟渠(22)中。2.如申请专利范围第1项之半导体组件,其中该外罩材料(4)含有矽树脂。3.如申请专利范围第1或2项之半导体组件,其中该外罩材料(4)含有溶胶形式之坚固性。4.如申请专利范围第1项之半导体组件,其中在该壁(23)上形成至少一固定元件(24),其伸入该外罩材料中。5.如申请专利范围第4项之半导体组件,其中在该壁(23)上分布着(特别是均匀地围绕着该壁上之晶片井而分布着)多个固定元件(24),其由该壁开始而伸入该外罩材料中。6.如申请专利范围第4项之半导体组件,其中各固定元件(24)形成由该壁凸出之固定鼻或固定肋条且该外罩材料(4)以套圈之形式围绕在各固定元件(24)之周围,使各固定元件(24)至少一部份由该外罩材料(4)伸出。7.如申请专利范围第4项之半导体组件,其中各固定元件(24)形成由该壁凸出之固定鼻或固定肋条且该外罩材料(4)跨越各固定元件。8.如申请专利范围第1项之半导体组件,其中该外罩材料(4)在该沟渠(22)中围绕该晶片井(21)而形成一种连续之固定环及/或密封环(41)。9.如申请专利范围第1项之半导体组件,其中该晶片井(21)形成该半导体晶片所发出及/或接收之辐射所用之反射井。10.如申请专利范围第1项之半导体组件,其中该外壳基体(3)特别是藉由溅镀或压制而预制在一由成型材料所制成之单件式金属导线架(6)上。11.如申请专利范围第1项之半导体组件,其中该外罩材料(4)中混合至少一种发光材料(7),其吸收该半导体晶片所发出之辐射之一部份且发出一与所吸收之辐射之波长不同之辐射。12.如申请专利范围第1项之半导体组件,其中该壁具有至少一中空区(52),至少一晶片连接线(5)由半导体晶片(1)经由该中空区(52)而延伸至该组件之电性连接导体(61)之线连接区(51)。13.如申请专利范围第1项之半导体组件,其中该半导体晶片发出紫外线辐射。14一种外壳基体,特别是发出及/或接收电磁辐射之半导体组件用,其具有至少一发出及/或接收电磁辐射之半导体晶片,其上之凹口(2)中该半导体晶片以一种外罩材料来包封,其特征为:该凹口(2)具有:一晶片井(21),其中固定该半导体晶片(1);及一在该凹口(2)中至少一部份围绕该晶片井(21)之沟渠(22),使该外壳基体(3)在晶片井(21)和该沟渠(22)之间具有一壁(23),其顶部由该晶片井(21)之底面观看时系位于该外壳基体(3)之该表面(由该表面开始该凹口(2)延伸至该外壳基体(3)中)之位准之下方。15.如申请专利范围第14项之外壳基体,其中在该壁(23)上至少形成一固定元件(24)。16.如申请专利范围第14项之外壳基体,其中在该壁(23)上配置多个固定元件(24),其沿着晶片井之边缘而分布,特别是以相等之间隔互相沿着该晶片井之边缘而份布着。17.如申请专利范围第14项之外壳基体,其中该沟渠(22)由该晶片井(21)观看时位于固定元件(24)后方,使沟渠(22)中之外罩材料(4)在晶片井(21)周围形成一种连续之固定带或密封带,特别是一种连续之固定环或密封环(41)。18.如申请专利范围第14项之外壳基体,其中该晶片井(21)形成该半导体晶片所发出及/或接收之辐射所用之反射井。19.如申请专利范围第14项之外壳基体,其中该外壳基体(3)藉由溅镀或压制而预制在一金属导线架(6)上。20.如申请专利范围第14至19项中任一项之外壳基体,其中该壁具有至少一中空区,至少一晶片连接线(5)由半导体晶片(1)经由该中空区而延伸至该组件之电性连接导体(61)之线连接区(51)。图式简单说明:第1图 本发明之组件之第一实施例之切面图。第2图 本发明之组件之第二实施例之切面图。第3图 本发明之第一和第二实施例之外壳基体之俯视图。第4图 本发明之第一和第二实施例之外壳基体之切面图。第5图 本发明之第一和第二实施例之外壳基体之透视图,例如设有一可表面安装之发光二极体(LED)组件或发出红外线之二极体(IRED)组件。第6图 本发明之第三实施例之外壳基体之透视图,例如设有一可表面安装之发光二极体(LED)组件或发出红外线之二极体(IRED)组件。第7图 本发明之第三实施例之外壳基体之切面图。 |
