| 主权项 |
1.一种发光二极体晶片封装制程,包含:提供一晶片载体,该晶片载体系具有一表面,并包含有复数个载体单元;设置复数个发光二极体晶片于该晶片载体,该些发光二极体晶片系设于该些载体单元上;形成一透光性模封胶体于该晶片载体之该表面,该模封胶体系密封该些发光二极体晶片;于该透光性模封胶体形成复数个沟槽(groove),以使其与该晶片载体构成复数个反射件容置空间;及设置复数个金属反射件于该些反射件容置空间,每一金属反射件系位于对应之载体单元上并围绕对应之该些发光二极体晶片。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片封装制程,其中该些金属反射件系具有一反射面,其系不被该透光性模封胶体所黏接。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片封装制程,其另包含:在设置该些金属反射件之步骤中,系形成一黏胶层于该晶片载体,以黏着该些金属反射件。4.如申请专利范围第3项所述之发光二极体晶片封装制程,其中该黏胶层系具有介电性。5.如申请专利范围第3项所述之发光二极体晶片封装制程,其中该黏胶层系为导热胶。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片封装制程,其中该些金属反射件系由单一金属板制作而成。7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片封装制程,其中该些金属反射件系预先利用金属粉末冶金铸造成形。8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片封装制程,其中该透光性模封胶体系包含有萤光粉末。9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片封装制程,其另包含:在设置该些金属反射件之步骤之后,设置复数个镜片于该些金属反射件上。10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片封装制程,其中该晶片载体系为一导线架或一电路基板。11.如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片封装制程,其中该些发光二极体晶片之设置方法系为覆晶接合。12.如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片封装制程,其中该些发光二极体晶片系以打线方式电性连接至该晶片载体。13.如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片封装制程,其另包含有:切割该晶片载体,以构成复数个发光二极体封装构造。14.一种发光二极体晶片封装构造,包含:一晶片载体;一发光二极体晶片,其系设置于该晶片载体;一透光性模封胶体,其系形成于该晶片载体上,以密封该发光二极体晶片;及一金属反射件,其系设置于该晶片载体,并围绕该发光二极体晶片。15.如申请专利范围第14项所述之发光二极体封装构造,其中该金属反射件系具有一反射面,其系不与该透光性模封胶体所黏接。16.如申请专利范围第14项所述之发光二极体封装构造,其另包含一黏胶层,以黏着该金属反射件与该晶片载体。17.如申请专利范围第16项所述之发光二极体封装构造,其中该黏胶层系具有介电性。18.如申请专利范围第16项所述之发光二极体封装构造,其中该黏胶层系为导热胶。19.如申请专利范围第14项所述之发光二极体封装构造,其中该金属反射件系由单一金属板制作而成。20.如申请专利范围第14项所述之发光二极体封装构造,其中该金属反射件系预先利用金属粉末冶金铸造成形。21.如申请专利范围第14项所述之发光二极体封装构造,其中该透光性模封胶体系包含有萤光粉末。22.如申请专利范围第14项所述之发光二极体封装构造,其另包含一镜片,其系设置于该金属反射件上。23.如申请专利范围第14项所述之发光二极体封装构造,其中该基板系为一导线架或一电路基板。图式简单说明:第1A图至第1D图:习知发光二极体晶片封装制程中一晶片载体之截面示意图;第2A图至第2G图:依据本发明之一具体实施例,在一发光二极体晶片封装制程中一晶片载体之截面示意图;及第3图:依据本发明之一具体实施例,该发光二极体封装构造之晶片载体之上视图。 |
