发明名称 防止蚀刻机台之组件锈蚀的方法
摘要 本发明揭露一种防止蚀刻机台之组件锈蚀的方法,将所述蚀刻机台之组件浸泡于不含氢离子的溶液中,或将不含氢离子的溶液涂布在所述蚀刻机台之组件的表面上,使其在所述蚀刻机台之组件的表面上形成一层能防止盐酸腐蚀的保护膜。其中所述不含氢离子的溶液包含碳-氟系的化合物溶液,例如C6F14溶液。
申请公布号 TWI237066 申请公布日期 2005.08.01
申请号 TW089126814 申请日期 2000.12.14
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 江文鹏;徐庆和
分类号 C23F11/00 主分类号 C23F11/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种防止蚀刻机台之组件锈蚀的方法,其特征在于将所述蚀刻机台之组件浸泡于不含氢离子的溶液中,使其在所述蚀刻机台之组件的表面上形成一层防止盐酸腐蚀的保护膜;其中该溶液为包含研一氟系的化合物溶液。2.如专利申请范围第1项所述之防止蚀刻机台之组件锈蚀的方法,其中所述碳-氟系的化合物溶液系C6F14溶液。3.一种防止蚀刻机台之组件锈蚀的方法,其特征在于将不含氢离子的溶液涂布在所述蚀刻机台之组件的表面上,使其在所述蚀刻机台之组件的表面上形成一层防止盐酸腐蚀的保护膜;其中该溶液为包含研一氟系的化合物溶液。4.如专利申请范围第3项所述之防止蚀刻机台之组件锈蚀的方法,其中所述碳-氟系的化合物溶液系C6F14溶液。5.一种C6F14的使用方法,其特征在于在蚀刻机台之组件的表面上形成一层C6F14薄膜,以做为防止盐酸腐蚀的保护膜。6.如专利申请范围第5项所述之C6F14的使用方法,其中所述C6F14膜层系以涂布的方式形成。7.如专利申请范围第6项所述之C6F14的使用方法,其中所述C6F14膜层系以浸泡的方式形成。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号