| 主权项 |
1.一种具有醚键之含氟芳香族聚合物,其特征为其系以下述、及之方法所组成群中选出一种以上之方法、由下述式1所示分支构造之含氟芳香族化合物(B)所制造之于1分子中含有2个以上交联性官能基(A),且数平均分子量为1103~5105者:此处,m及n为分别独立表示1~4之整数,p、q及r分别独立表示0或1~5之整数,a、b及c分别独立表示0或1~3之整数,2≦m+n≦5;令上述式1所示分支构造之含氟芳香族化合物(B)、和具有交联性官能基(A)及酚性羟基之化合物(Y1),于脱HF剂存在下述进行缩合反应之方法;令前述含氟芳香族化合物(B)、与具有交联性官能基(A)及酚性羟基之化合物(Y1)、与不具有交联性官能基且具有2个以上酚性羟基之化合物(Y2),于脱HF剂存在下进行缩合反应之方法;令前述含氟芳香族化合物(B)、与具有交联性官能基(A),且于芳香核中具有氟取代基之芳香族化合物(Z)、与不具有交联性官能基,且具有2个以上酚性羟基之化合物(Y2),于脱HF剂存在下进行缩合反应之方法。2.如申请专利范围第1项之含氟芳香族聚合物,其中该含氟芳香族化合物(B)为下述式2所示之全氟(1,3,5-三苯基苯)或全氟(1,2,5-三苯基苯):3.如申请专利范围第1或2项之含氟芳香族聚合物,其中该交联性官能基(A)为乙炔基。4.如申请专利范围第1或2项之含氟芳香族聚合物其系使用于电子装置用绝缘膜者。5.如申请专利范围第1或2项之含氟芳香族聚合物其为使用于多层线路板用绝缘膜。6.如申请专利范围第4项之绝缘膜,其系于绝缘膜中含有空孔。7.如申请专利范围第5项之绝缘膜,其系于绝缘膜中含有空孔。 |
