半导体积体电路装置之制造方法

摘要

本发明提供一种可实现具有窄间距化之测试垫之半导体积体电路装置之电性检查之技术。将依序层积铑膜及镍膜而形成之金属膜21A、21B之一部分，作为形成4角锥型或4角锥梯形型之探针7A、7B，经由于配线23与金属膜21A、21B之间之聚醯亚胺膜形成之通孔24，电性地连接配线23及金属膜21A、21B，形成有探针7B之金属膜21B及通孔24之平面图案系将形成有探针7A之金属膜21A及通孔24之平面图案旋转180°之图案。