发明名称 双模式线性及饱和功率放大器操作方法及架构
摘要 藉由对功率放大器中的功率电晶体实施集极电压控制,射频发射器提供GSM和EDGE能力。在EDGE模式中,将功率放大器(PA)线性基极偏压容许集极控制,以提供饱和模式功率放大器操作(在上升/下降中)或者线性模式功率放大器操作(在资料丛发中)。因此集极控制可以用来提供GSM和EDGE丛发输出信号所需要的准确上升和下降轮廓,也可以用来设定GSM丛发输出信号之恒定弥封资料丛发的位准,而线性模式功率放大器操作可以提供非恒定弥封EDGE资料丛发。可变增益放大器用来调整功率放大器的输入信号,而达成所需发射位准。
申请公布号 TW200525905 申请公布日期 2005.08.01
申请号 TW093139032 申请日期 2004.12.15
申请人 三五半导体股份有限公司 发明人 安德鲁张;托玛斯艾佩尔;克里斯多弗史蒂芬斯
分类号 H04B1/04;H03F3/20 主分类号 H04B1/04
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 美国