| 主权项 |
1.一种整平头结构,适用于一封装制程以压平封装 焊球,该整平头结构至少包括: 一主体,该主体具有一平坦压面;以及 一类钻碳(DLC)薄膜覆盖在该主体之该平坦压面上 。 2.如申请专利范围第1项所述之整平头结构,其中该 类钻碳薄膜之厚度介于0.1m至10m之间。 3.如申请专利范围第1项所述之整平头结构,其中该 类钻碳薄膜之厚度介于1m至3m之间。 4.如申请专利范围第1项所述之整平头结构,其中该 类钻碳薄膜之材质至少包括碳。 5.如申请专利范围第4项所述之整平头结构,其中该 类钻碳薄膜之材质系选自于由氢、氧、氮、矽、 及其组合所组成之一族群。 6.如申请专利范围第5项所述之整平头结构,其中该 类钻碳薄膜之材质系选自于由铬、钛、铝、钨、 钼、及其组合所组成之一族群。 7.一种整平头结构,适用于一封装制程以压平封装 焊球,该整平头结构至少包括: 一主体,该主体具有一平坦压面;以及 一类钻碳薄膜包覆在该主体上。 8.如申请专利范围第7项所述之整平头结构,其中该 类钻碳薄膜之厚度介于0.1m至10m之间。 9.如申请专利范围第7项所述之整平头结构,其中该 类钻碳薄膜之厚度介于1m至3m之间。 10.如申请专利范围第7项所述之整平头结构,其中 该类钻碳薄膜之材质至少包括碳。 11.如申请专利范围第10项所述之整平头结构,其中 该类钻碳薄膜之材质系选自于由氢、氧、氮、矽 、及其组合所组成之一族群。 12.如申请专利范围第11项所述之整平头结构,其中 该类钻碳薄膜之材质系选自于由铬、钛、铝、钨 、钼、及其组合所组成之一族群。 图式简单说明: 第1图系绘示依照本发明第一较佳实施例的一种整 平头结构之立体图。 第2图系绘示依照本发明第一较佳实施例的一种整 平头结构之剖面图。 第3图系绘示依照本发明第二较佳实施例的一种整 平头结构之剖面图。 |
