发明名称 互补分割条件的判定方法和记录程式之一电脑可读取媒体及互补分割的方法
摘要 本发明揭示一种互补分割条件的判定方法和程式及互补分割的方法,其能够提出抑制图案位移及光罩损坏的最佳互补分割条件,其中一光罩之一内部应力基于在该光罩内形成一开口时一周边标记的一位移而得以判定,且该值用于第一分析(步骤ST12),由于分离图案之开口而引起的图案位移及应力集中基于一第一分析中之一第一分析模型而得以分析(步骤ST13),且由于该等分离图案间之膜的外部力而引起之一位移在一第二分析中分析(步骤ST14)。该第一及该第二分析之顺序并不重要。以此方式,从一图案之一开口的观点执行之第一分析以及从图案间膜的强度之观点执行的第二分析之结果一同使用,且互补分割条件基于允许的位移及应力集中而得以判定(步骤ST15)。
申请公布号 TWI237308 申请公布日期 2005.08.01
申请号 TW093110739 申请日期 2004.04.16
申请人 新力股份有限公司 发明人 芦田 勋;中山 幸一
分类号 H01L21/027;G03F1/16;G06T1/00 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种互补分割条件的判定方法,其包含: 一测量步骤,其在一光罩中形成一开口时测量一周 边标记之一位移及基于该所测得位移来判定该光 罩之一内部应力; 一第一分析步骤,其设定一第一分析模型以在具有 该内部应力的该光罩中形成藉由在各种分割条件 下分割一分割图案而获得之分离图案,并基于该第 一分析模型来分析由于该等分离图案之开口而引 起的图案位移及应力集中; 一第二分析步骤,其设定一第二分析模型以假定该 等分离图案间的一膜为一两端固定结构,并基于该 第二分析模型来分析由于外部力而引起之该等分 离图案间的膜之位移;以及 一判定步骤,其基于该等第一及第二分析步骤之结 果以及一允许位移及应力集中以判定互补分割条 件。 2.如申请专利范围第1项之互补分割条件的判定方 法,其中判定该光罩之内部应力的该步骤包含一藉 由分析而预先得到在相同条件下于该光罩中形成 该开口时该光罩中的内部应力与该位移之间一关 系,以及藉由比较该所测得位移与该等分析结果而 判定该内部应力的步骤。 3.如申请专利范围第1项之互补分割条件的判定方 法,其中该分割图案包括一线状图案、线及空间图 案、以及大面积图案,且对该等分割图案之各分割 图案判定其互补分割条件。 4.一种用于分割图案以界定在一光罩中形成一开 口的互补分割方法,其包含: 一测量步骤,其在该光罩中形成一开口时测量一周 边标记之一位移及基于该所测得位移来判定该光 罩之一内部应力; 一第一分析步骤,其设定一第一分析模型以在具有 该内部应力的该光罩中形成藉由在各种分割条件 下分割一分割图案而获得之分离图案,并基于该第 一分析模型来分析由于该等分离图案之开口而引 起的图案位移及应力集中; 一第二分析步骤,其设定一第二分析模型以假定该 等分离图案间的一膜为一两端固定结构,并基于该 第二分析模型来分析由于外部力而引起之该等分 离图案间的膜之位移; 一判定步骤,其基于该等第一及第二分析步骤之结 果以及一允许位移及应力集中以判定该等互补分 割条件;以及 一撷取步骤,其自该光罩之图案资料中撷取该分割 图案以及基于该已判定的互补分割条件来分割该 分割图案。 5.如申请专利范围第4项之互补分割方法,其中判定 该光罩之内部应力的该步骤包含一藉由分析而预 先得到在相同条件下于该光罩中形成该开口时该 光罩中的内部应力与该位移之间一关系,以及藉由 比较该所测得位移与该等分析结果而判定该内部 应力的步骤。 6.如申请专利范围第4项之互补分割方法,其中该分 割图案包括一线状图案、线及空间图案、以及大 面积图案,且对该等分割图案之各分割图案判定其 互补分割条件。 7.如申请专利范围第6项之互补分割方法,当该分割 图案为一大面积图案时,该方法进一步包含: 一设定步骤,其在该大面积图案周围设定一外切矩 形,以及 一分割步骤,其藉由一基于该等已判定之互补分割 条件的第二分割宽度沿该外切矩形之长边将该大 面积图案分割为线。 8.一种电脑可读取媒体,包括一用于使电脑执行处 理以判定用于分割图案资料之分割条件的程式,其 包含: 一判定常式,其用于基于在一光罩中形成一开口时 一周边标记之一位移而判定该光罩之一内部应力; 一第一分析常式,其用于设定一第一分析模型以在 具有该内部应力的该光罩中形成藉由在各种分割 条件下分割一分割图案而获得之分离图案,并基于 该第一分析模型来分析由于该等分离图案之开口 而引起的图案位移及应力集中; 一第二分析常式,其用于设定一第二分析模型以假 定该等分离图案间的一膜为一两端固定结构,并基 于该第二分析模型来分析由于外部力而引起之该 等分离图案间的膜之位移;以及 一判定常式,其用于基于该等第一及第二分析常式 的结果以及一允许位移及应力集中以判定该等互 补分割条件。 9.如申请专利范围第8项之电脑可读取媒体,其中判 定该光罩之内部应力之该常式包含一藉由比较一 输入位移与在相同条件下于该光罩中形成该开口 时该光罩中内部应力与该位移间之一关系而判定 该内部应力的常式。 10.如申请专利范围第8项之电脑可读取媒体,其中: 该分割图案包括一线状图案、线及空间图案、及 大面积图案,以及 该第一分析常式及该第二分析常式系对该等分割 图案之各分割图案执行以判定该等分割图案之各 分割图案之互补条件。 图式简单说明: 图1A为采用根据本发明的互补分割方法时制备的 一模板光罩之平面图,而图1B为图1A之一曝光区域 的详细透视图; 图2为根据本发明的互补分割方法之流程图; 图3A至3F为本发明中互补分割方法之第一互补分割 处理的说明图; 图4为一藉由运行根据本发明之程式而判定互补分 割条件之资料处理系统(电脑)之硬体的方块图; 图5为根据本发明的互补分割条件判定方法之流程 图; 图6A至6D为变成第二互补分割处理的目标之图案的 范例图; 图7为一校准用光罩之图案的放大图; 图8A为形成具有图7所示图案的模板光罩时的位移 测量结果图,而图8B为形成与实验相同的图案开口 时之内部应力与位移之关系图; 图9说明用于分析在膜中形成互补分割后所获得之 开口图案所引起之位置偏移及应力集中的第一分 析模型; 图10说明一用于分析由于外部力而产生的分离图 案之间膜的位移之第二分析模型; 图11A为用于判定LS图案分割宽度的第二分析模型 之说明图,而图11B为使用第二分析模型的应力应变 分析之结果图; 图12为一大面积图案之说明图; 图13A及13B为藉由使用第一分析模型进行分析以判 定大面积图案之分割条件而获得的结果图,其中图 13A说明图案位移之分析结果,而图13B说明Mises应力 的分析结果; 图14为藉由使用第二分析模型进行分析以判定大 面积图案的分割条件所获得的结果图。
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