| 主权项 |
1.一种半导体薄膜之制造方法,其特征为,其包括有 : 准备基板(1), 在该基板(1)上形成半导体薄膜(4),及 将雷射光束照射在该半导体薄膜(4)上 该半导体薄膜(4)被做成经由其内部的光干涉使该 雷射光束之吸收率为峰値之80%以上的膜厚,将雷射 光束照射在该半导体薄膜(4)上,而使该半导体薄膜 (4)被结晶化或再结晶化。 2.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中包含有在形成前述之半导体薄膜(4)之 前,在该基板(1)上形成绝缘膜(2,3),该绝缘膜(2,3)系 做成使前述雷射光束之吸收率为峰値之90%以上的 膜厚。 3.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中包含有在形成前述之半导体薄膜(4)之 前,在该基板(1)上形成第1绝缘膜(2)及在该第1绝缘 膜(2)上形成之第2绝缘膜(3),该第1绝缘膜(2)及第2绝 缘膜(3)之至少一方系做成使前述雷射光束之吸收 率为峰値之90%以上的膜厚。 4.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中包含有在将雷射光束照射到前述之半 导体薄膜(4)上之前,在该半导体薄膜(4)上形成上层 绝缘膜,该上层绝缘膜系做成使前述雷射光束之吸 收率为峰値之90%以上的膜厚。 5.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中前述之雷射光束系为波长458奈米以上 之固体雷射光束。 6.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中前述之半导体薄膜(4)系做成利用内部 之光干涉使前述雷射光束之吸收率成为峰値之90% 以上的膜厚。 7.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中前述之雷射光束系将固体雷射光束变 换为二次谐波之雷射光束。 8.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中前述之雷射光束系为全固体雷射光束 。 9.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中前述之雷射光束系将全固体雷射光束 变换为二次谐波之雷射光束。 10.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中前述之雷射光束系将固体雷射光束变 换为二次谐波之530奈米附近的可视光领域波长之 雷射光束。 11.如申请专利范围第10项所记载之半导体薄膜之 制造方法,其中前述之雷射光束系为:掺钕四氟化 钇锂/二次谐波(Nd:YLF/SGH)、掺钕钇铝石榴石/二次 谐波(Nd:YAG/SGH)(脉冲振荡,波长为532奈米)、掺妆钒 酸钇/二次谐波(Nd:YV04/SGH)(脉冲振荡,波长为532奈米 )、掺钕钒酸钇/二次谐波(Nd:YV04/SGH)(脉冲振荡,波 长为532奈米)中之任何一种雷射光束。 12.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中前述之雷射光束系为氩气雷射光束。 13.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中雷射光束照射到前述之半导体薄膜、 系一方面将该雷射光束之光束照射领域重叠、一 方面扫瞄照射者。 14.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中前述之雷射光束系在重叠率为90%以上 实施照射者。 15.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜之制 造方法,其中在前述之基板(1)上形成的半导体薄膜 (4)系为非晶态半导体薄膜。 16.如申请专利范围第15项所记载之半导体薄膜之 制造方法,其中雷射光束照射到前述之半导体薄膜 (4)上而将前述之非晶态半导体薄膜予以结晶化。 图式简单说明: 第1A图及第1B图系本发明之一个实施形态之半导体 薄膜之制造方法的说明用图,其中: 第1A图系非晶态矽薄膜在成膜状态的剖面图; 第1B图系经由固体雷射照射、而将非晶态矽薄膜 予以多结晶化、因而做成多晶矽薄膜之状态的剖 面图; 第2图系显示非晶态矽薄膜之膜厚做为参数之情形 之非晶态矽薄膜的光吸收率之图; 第3图系显示非晶态矽薄膜的光吸收率之波长依存 性之图; 第4图系显示将第2底层绝缘膜之膜厚做为参数之 之情形之非晶态矽薄膜的光吸收率之图; 第5图系显示将第1底层绝缘膜之膜厚做为参数之 之情形之非晶态矽薄膜的光吸收率之图; 第6图系显示将在非晶态矽薄膜成膜的上层绝缘膜 之膜厚做为参数之之情形之非晶态矽薄膜的光吸 收率之图; 第7图系本发明之制造方法所制造之液晶显示元件 之一例的要部之剖面图; 第8图系在制造第7图之液晶显示元件之时,最初工 程之剖面图; 第9图系接续第8图之工程之剖面图; 第10图系接续第9图工程之剖面图; 第11图系接续第10图工程之剖面图。 |
