| 主权项 |
1.一种沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构,包括:一半导体结构;一第一介电层于该半导体结构上;一第一导电层于该第一介电层上,该第一导电层中具有至少一沟槽;一第二介电层于该第一导电层上,并覆盖该沟槽的侧壁;以及一第二导电层于该沟槽中及该沟槽与第二介电层上。2.如申请专利范围第1项所述之沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构,其中该沟槽系为一连续螺旋状。3.如申请专利范围第1项所述之沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构,其中该第一导电层系选自金属、金属化物与合金层所组成之群组。4.如申请专利范围第1项所述之沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构,其中该第二导电层系选自金属、金属化物与合金层所组成之群组。5.一种沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构,包括:一半导体结构;一第一介电层于该半导体结构上;一第一导电层于该第一介电层上,该第一导电层中具有复数个沟槽暴露出部分该第一介电层;一第二介电层于该第一导电层与该暴露出的第一介电层上,并覆盖该复数个沟槽的复数个侧壁;以及一第二导电层于该复数个沟槽中及该沟槽与第二介电层上。6.如申请专利范围第5项所述之沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构,其中该第一导电层系选自金属、金属化物与合金层所组成之群组。7.如申请专利范围第5项所述之沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构,其中该第二导电层系选自金属、金属化物与合金层所组成之群组。8.如申请专利范围第5项所述之沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构,其中该第二介电层系选自矽氧化物矽氮化物及矽氮氧化物所组成之群组。9.一种沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构的形成方法,包括下列步骤:提供一半导体结构;形成一第一介电层于该半导体结构上;形成一第一导电层于该第一介电层上;形成一图案化光阻层于该第一导电层上;以该图案化光阻层为罩幕,移除部分该第一导电层以形成至少一沟槽于该第一导电层中,而后移除该光阻层;形成一第二介电层于该第一导电层上,并覆盖该沟槽的侧壁;以及填满一第二导电层于该沟槽中及该沟槽与第二介电层上。10.如申请专利范围第9项所述之沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构的形成方法,其中形成该第二介电层的步骤包含以共形沉积的方式所形成者。图式简单说明:第一图为传统的金属层-绝缘层-金属层电容结构的剖面示意图。第二A图至第二C图为本发明之一实施例的形成方法的剖面示意图。第三图为本发明之一结构实施例的正面示意图。第四图为本发明之另一结构实施例的正面示意图。 |
