Ausrichtungsverfahren zur Herstellung eines integrierten Ultraschalltransducerfeldes

摘要

Eine integrierte Schaltung wird durch Feinstbearbeitung eines hexagonalen Feldes von cMUT-Elementen oben auf einem ein hexagonales Feld von CMOS-Zellen aufweisenden Substrat hergestellt. Jedes cMUT-Element liegt in einer Eins-zu-eins-Zuordnung über einer entsprechenden CMOS-Zelle. Während des Entwurfs der Maske für die Feinstbearbeitung der cMUT-Schicht wird entweder das hexagonale Muster oder der Ausrichtungsanzeiger gedreht, bis eine Symmetrieachse des hexagonalen Musters an einer Achse des Ausrichtungsanzeigers ausgerichtet ist. Wenn die Maske auf das CMOS-Substrat übertragen worden ist, wird später der Ausrichtungsanzeiger auf der Maske an einem Ausrichtungsanzeiger auf dem Substrat ausgerichtet. Dies stellt sicher, dass die durch optische Lithographie gebildeten cMUT-Elemente zur den CMOS-Zellen passen.