发明名称 LOW COST SOURCE DRAIN ELEVATION THROUGH POLY AMORPHIZING IMPLANT TECHNOLOGY
摘要
申请公布号 SG112924(A1) 申请公布日期 2005.07.28
申请号 SG20040006554 申请日期 2004.09.09
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD 发明人 LI YI SUO;FRANCIS BENISTANT;TEE KIAN MENG;CHUI KING JIEN
分类号 H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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