| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法以及半导体芯片和电子设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体芯片，该半导体芯片包括衬底、外部连接电极以及凸起，其中该凸起具有第一导电层和被设置在该第一导电层上的第二导电层，并且该第二导电层由铜组成；布线板，其具有焊接区；以及绝缘材料，该绝缘材料中散布有导电微粒，其中该导电微粒在凸起和焊接区之间连接，其中通过已经渗入到第二导电层和焊接区中的导电微粒来建立电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1645602A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200410100007.7 | 申请日期 | 2004.11.30 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 今井英生 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L21/60;H01L21/28;H01R12/04;H01R11/01 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王玮 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体芯片，该半导体芯片包括：衬底；外部连接电极；以及凸起，其中该凸起具有第一导电层和被设置在该第一导电层上的第二导电层，并且该第二导电层由铜组成；布线板，其具有焊接区；以及绝缘材料，该绝缘材料中散布有导电微粒，其中该导电微粒在所述凸起和所述焊接区之间连接，其中通过已经渗入到第二导电层和焊接区中的导电微粒，来建立电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||