具有多重闸极绝缘层的非挥发性存储器组件

摘要

一种具有多重闸极绝缘层的非挥发性存储器组件，它包括形成于闸极与通道区域之间的一闸极绝缘层构造。此闸极绝缘层构造包括一顶部氮化硅层、一中间氮化硅层及一底部氮化硅层。当电场施予闸极与通道区域一侧的汲极区时，热载子从汲极区直接穿越底部氮化硅层以执行写入/清除的操作。从汲极区直接穿越底部氮化硅层的热载子是被捕捉于中间氮化硅层。

主权项

1.一种多层结构，其特征在于它包括：一半导体层；一第一氮化硅层，是形成于该半导体层上，该第一氮化硅层具有一第一厚度；一第二氮化硅层，是形成并接触相邻于该第一氮化硅层上，该第二氮化硅层具有一第二厚度；一第三氮化硅层，是形成于该第二氮化硅层上，该第三氮化硅层具有一第三厚度；以及一导电性层，是形成于该第三氮化硅层上，当一电场施予在该半导体层与该导电性层之间时，热载子是从该半导体层直接穿越该第一氮化硅层并被捕捉于该第二氮化硅层内。