| 发明名称 | 栅极氧化物的选择性渗氮 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构包括已经选择性地富含氮的薄栅极电介质。引入的氮量足以减轻或避免栅极泄漏和掺杂剂渗透，而没有明显降低器件的性能。将比引入nFET栅极电介质中更低浓度的氮引入pFET栅极电介质中。渗氮可以通过各种技术选择性地实现，包括快速热渗氮(RTN)，炉中渗氮，远距离等离子渗氮(RPN)，去耦等离子体渗氮(DPN)，阱注入和/或多晶硅注入。 | ||
| 申请公布号 | CN1645593A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200510005624.3 | 申请日期 | 2005.01.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 杰伊·S·伯恩哈姆;约翰·J·艾丽丝－莫娜格哈姆;詹姆斯·S·纳考斯;詹姆斯·J·奎恩利万 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8238;H01L27/02;H01L27/092 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体结构的方法，包含步骤：形成第一有源器件的第一部件和第二有源器件的第二部件；将第一数量的氮引入所述第一有源器件的第一部件中；以及将第二数量的氮引入所述第二有源器件的第二部件中，所述氮的第二数量不同于所述氮的第一数量。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||