| 发明名称 | 集成电路器件 | ||
| 摘要 | 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1645613A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200510004377.5 | 申请日期 | 2005.01.17 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 | 发明人 | 大洼宏明;菊田邦子;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L27/06;H01L23/00;G01K7/00 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种集成电路器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的多层布线层，所述多层布线层包括：两条布线；分别连接至所述两条布线的两个插头；由金属氧化物制成并连接在所述两个插头之间的温度监视部件；分别连接在所述插头和所述温度监视部件之间的两个衬垫，而且每个衬垫由下述材料形成，所述材料不形成位于这个衬垫和所述金属氧化物之间的绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||