具有薄膜晶体管的器件

摘要

在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素，然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上，晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位，按以下方式形成半导体器件的有源区，即根据所期望的有源区迁移率，来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。

主权项

1.一种有源矩阵显示器件，其具有在基片上形成的象素电路和驱动电路，该驱动电路包括：串接的第一TFT和第二TFT，各TFT具有一半导体膜、在半导体膜上的一栅绝缘膜及在该栅绝缘膜上的一栅绝缘膜；在半导体膜中形成的一对杂质区；在第一TFT和第二TFT上形成的一绝缘膜；在该绝缘膜中形成的一接触孔；以及一布线，其在该绝缘膜上形成，并经所述接触孔电连接到所述第一TFT中所述一对杂质区之一和所述第二TFT中所述一对杂质区之一，其中，所述半导体膜包括至少一个晶界，该晶界在基本上平行于要通过所述第一TFT和所述第二TFT中每一个的电流的方向上延伸。