| 发明名称 | 一种集成门极换向晶闸管功率相模块 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种IGCT功率相模块，包括：箝位电阻(1)、箝位电抗器(2)、层叠母线绝缘板(3)、输入功率端子(4)、箝位电容器(5)、IGCT等半导体器件(6)、散热器(7)、层叠母线连接端子(8)、层叠母线(9)、输出功率端子(10)以及压紧结构组件(11)。压紧结构组件(11)将IGCT等半导体器件(6)和散热器(7)串联压紧成一长串，箝位电阻(1)位于此长串前部左右两侧，箝位电抗器(2)位于此长串上部，层叠母线绝缘板(3)、层叠母线(9)紧贴于此长串后部，散热器(7)通过层叠母线连接端子(8)与层叠母线(9)电气连接，箝位电容器(5)被夹持于输入功率端子(4)与层叠母线(9)之间。优点在于：组件集成在一个功率模块中，整体体积小。 | ||
| 申请公布号 | CN1645725A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200510053449.5 | 申请日期 | 2005.03.10 |
| 申请人 | 冶金自动化研究设计院;北京金自天正智能控制股份有限公司 | 发明人 | 张胜民;李崇坚;李凯;崔春枝;李海兴;朱春毅;林根 |
| 分类号 | H02M1/00;H02M1/06;H01L23/34;H01L23/46 | 主分类号 | H02M1/00 |
| 代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人 | 刘月娥 |
| 主权项 | 1.一种IGCT功率相模块，包括：箝位电阻(1)、箝位电抗器(2)、层叠母线绝缘板(3)、输入功率端子(4)、箝位电容器(5)、IGCT等半导体器件(6)、散热器(7)、层叠母线连接端子(8)、层叠母线(9)、输出功率端子(10)以及压紧结构组件(11)；其特征在于：压紧结构组件(11)将IGCT等半导体器件(6)和散热器(7)串联压紧成一长串，箝位电阻(1)位于此长串前部左右两侧，箝位电抗器(2)位于此长串上部，层叠母线绝缘板(3)、层叠母线(9)紧贴于此长串后部，散热器(7)通过层叠母线连接端子(8)与层叠母线(9)电气连接，箝位电容器(5)被夹持于输入功率端子(4)与层叠母线(9)之间。 | ||
| 地址 | 100071北京市丰台区西四环南路72号 | ||