氮化物的制备方法及其用作荧光标记和发光二极管的用途

摘要

本发明涉及化学式为Ga_1－xIn_xN的氮化物的制备方法，其中0.01≤x≤1，在该方法中，通式M(NR₂)₃所示的一种或一种以上化合物与氨反应，通式中所有的R互相独立地为H、直链或支链－C_1－8－烷基或－SiR^x₂，其中R^x是直链或支链－C_1－8－烷基，而且M是Ga、In或Ga_1－xIn_x，并且该一种或一种以上化合物M(NR₂)₃的选择方式在于：1－xGa与xIn的比率也适用于这些化合物。制备的氮化物可用作荧光标记。本发明还涉及包含这样制备的氮化物的发光二极管。

主权项

1.化学式为Ga1-xInxN的氮化物的制备方法，其中0.01≤x≤1，其特征在于通式M(NR2)3所示的一种或多种化合物与氨反应，通式中所有的R互相独立地为H、直链或支链-C1-8-烷基或-SiRx2，其中Rx是直链或支链-C1-8-烷基，而且M是Ga、In或Ga1-xInx，其中所述一种或多种以上化合物M(NR2)3的选择方式在于：1-x Ga与x In的比率也适用于这些化合物。