| 发明名称 | 多数据状态存储单元 | ||
| 摘要 | 可编程多数据状态存储单元包括由第一导电材料形成的第一电极层、由第二导电材料形成的第二电极层、以及置于该第一和第二电极层之间的第一层金属掺杂硫族化物材料。该第一层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第一和第二电极层电耦合在一起。该存储单元还包括由第三导电材料形成的第三电极层，以及置于该第二和第三电极层之间的第二层金属掺杂硫族化物材料，该第二层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第二和第三电极层电耦合在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN1647209A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN03808515.1 | 申请日期 | 2003.02.05 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | T·L·吉尔顿 |
| 分类号 | G11C11/34;G11C11/56 | 主分类号 | G11C11/34 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;张志醒 |
| 主权项 | 1.多状态存储单元，包括：由第一导电材料形成的第一电极层；由第二导电材料形成的第二电极层；置于第一和第二电极层之间的第一层金属掺杂硫族化物材料，该第一层提供一种媒质，其中能够形成导电生长以便将第一和第二电极层电耦合在一起；由第三导电材料形成的第三电极层；以及置于第二和第三电极层之间的第二层金属掺杂硫族化物材料，该第二层提供一种媒质，其中能够形成导电生长以便将第二和第三电极层电耦合在一起。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||