发明名称 |
曝光掩模图形的形成方法,曝光掩模图形,以及半导体器件的制作方法 |
摘要 |
一种用来形成曝光掩模图形的方法,其中,以预定的间距为设计图形(1)的边沿提供了边沿分割点(P),并对借助于分割边沿而确定的各个边沿区段的边沿位置进行修正。具有是为设计图形(1)的成对面对的边的长边的矩形(10,11),被产生在设计图形(1)中。矩形(10,11)被形成在其中设计图形(1)的各个长边之间的距离W1和W2处于预定间距W0内的部分。从是为矩形(10,11)的短边所共用的角落的二个起点(P<SUB>0</SUB>)开始,以预定的间距t,为长边提供新的分割点P(P<SUB>1</SUB>)。于是,简化了用于光刻术的曝光掩模图形,并改善了转移图形形成的精度。 |
申请公布号 |
CN1646988A |
申请公布日期 |
2005.07.27 |
申请号 |
CN03807763.9 |
申请日期 |
2003.02.07 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
小川和久;川原和义 |
分类号 |
G03F1/08;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F1/08 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;叶恺东 |
主权项 |
1.一种形成曝光掩模图形的方法,它包含下列步骤:用包含所述设计图形的一对面对的边,在设计图形中形成矩形图形;用共用每一矩形图形的一个边的二个顶点作为起点,并从所述起点以预定的间距为所述面对的边提供边沿分割点;以及修正所述边沿分割点所分割的每一边沿部分的边沿位置。 |
地址 |
日本东京都 |