发明名称 形成非易失可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法
摘要 一种形成非易失性可变电阻器件的方法,包括在衬底上形成包含银元素的图案块。在衬底上形成包含硒元素的层,包括在包含银元素的图案块上。所述衬底暴露于这样的条件下,用于仅使硒元素的一些与银元素反应,以形成包含硒化银的图案块。未反应的硒元素从衬底去除。第一导电电极设置为与包含硒化银的图案块的一部分电连接。包含硒化锗的材料设置为与包含硒化银的图案块的另一部分电连接。第二导电电极设置为与包含硒化锗的材料电连接。
申请公布号 CN1647278A 申请公布日期 2005.07.27
申请号 CN03807655.1 申请日期 2003.01.21
申请人 微米技术有限公司 发明人 T·L·吉尔顿;K·A·坎贝尔;J·T·穆尔
分类号 H01L27/10;H01L45/00;H01L27/24 主分类号 H01L27/10
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 肖春京
主权项 1.一种形成非易失性可变电阻器件的方法,包括:在衬底上形成包含银元素的图案块;在所述衬底上形成包含硒元素的层,包括包含银元素的图案块上;将所述衬底暴露于这样的条件下,所述条件用于仅使所述硒元素的一些与所述银元素反应,以形成包含硒化银的图案块;将未反应的硒元素从所述衬底去除;提供与包含硒化银的图案块的一部分电连接的第一导电电极;提供与包含硒化银的图案块的另一部分电连接的包含硒化锗的材料;以及提供与包含硒化锗的材料电连接的第二导电电极。
地址 美国爱达荷州