发明名称 |
形成非易失可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法 |
摘要 |
一种形成非易失性可变电阻器件的方法,包括在衬底上形成包含银元素的图案块。在衬底上形成包含硒元素的层,包括在包含银元素的图案块上。所述衬底暴露于这样的条件下,用于仅使硒元素的一些与银元素反应,以形成包含硒化银的图案块。未反应的硒元素从衬底去除。第一导电电极设置为与包含硒化银的图案块的一部分电连接。包含硒化锗的材料设置为与包含硒化银的图案块的另一部分电连接。第二导电电极设置为与包含硒化锗的材料电连接。 |
申请公布号 |
CN1647278A |
申请公布日期 |
2005.07.27 |
申请号 |
CN03807655.1 |
申请日期 |
2003.01.21 |
申请人 |
微米技术有限公司 |
发明人 |
T·L·吉尔顿;K·A·坎贝尔;J·T·穆尔 |
分类号 |
H01L27/10;H01L45/00;H01L27/24 |
主分类号 |
H01L27/10 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
肖春京 |
主权项 |
1.一种形成非易失性可变电阻器件的方法,包括:在衬底上形成包含银元素的图案块;在所述衬底上形成包含硒元素的层,包括包含银元素的图案块上;将所述衬底暴露于这样的条件下,所述条件用于仅使所述硒元素的一些与所述银元素反应,以形成包含硒化银的图案块;将未反应的硒元素从所述衬底去除;提供与包含硒化银的图案块的一部分电连接的第一导电电极;提供与包含硒化银的图案块的另一部分电连接的包含硒化锗的材料;以及提供与包含硒化锗的材料电连接的第二导电电极。 |
地址 |
美国爱达荷州 |