发明名称 | 用于超声定位与测距的微声学器件 | ||
摘要 | 本实用新型公开了属于半导体器件领域的一种用于超声定位与测距的微声学器件,由制作有铁电薄膜等多层薄膜材料所构成。自下而上依次为硅杯衬底、热氧化的二氧化硅、钛层-下电极铂层、PZT薄膜层/AlN薄膜层、上电极铂层、等离子增强化学气相淀积的二氧化硅层、和铝电极。该器件既可作为麦克风也可作为扬声器使用能实现“薄膜振动-电信号”之间的有效互换。可实现超声定位系统和超声测距系统的搭建。具有很高的可靠性和抗干扰性,不易受温度、湿度等影响。同时本发明将应用于超声定位和测距系统的微声学器件,结合MEMS加工技术,能很好的提高产品的可靠性,极大地促进了产品的微型化和集成化,并有利于大批量的生产,市场前景巨大。 | ||
申请公布号 | CN2712888Y | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
申请号 | CN200420066617.5 | 申请日期 | 2004.06.08 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 任天令;朱一平;杨轶;刘理天 |
分类号 | B81B3/00 | 主分类号 | B81B3/00 |
代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李光松 |
主权项 | 1.一种用于超声定位与测距的微声学器件,其特征在于:其微声学器件的可动薄膜部分由含有铁电薄膜的多层薄膜材料所构成,所述铁电微声学器件包括铁电微扬声器和微麦克风,其结构是在硅基上自下而上依次为硅杯衬底(6)、热氧化的二氧化硅(3)、钛层—下电极铂层(8)、PZT(锆钛酸铅)薄膜层/磁控溅射的AlN(氮化铝)薄膜层(5)、上电极铂层(4)、等离子增强化学气相淀积的二氧化硅层(7)、下铝电极(1)和上铝电极(2)。 | ||
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