| 发明名称 | 减少多孔介电薄膜清洗期间损伤的处理方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种在清洗微电子部件的过程中，为减少处理低k介电材料膜时的损伤的设备、方法和系统。本发明通过对微电子组件的处理采取首先进行钝化处理随后进行清洗溶液处理，来清洗多孔低k介电材料膜，从而在具有高选择性的同时对介电材料的损伤最小。 | ||
| 申请公布号 | CN1646990A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN03808146.6 | 申请日期 | 2003.04.11 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | P·施林 |
| 分类号 | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/36;G03F7/42;C23C8/00;C23C14/02;C25F1/00;C25F5/00 | 主分类号 | G03F7/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;庞立志 |
| 主权项 | 1.一种处理低k介电材料表面的方法，包括：a.用超临界甲硅烷基化剂处理低k介电材料，以形成钝化的低k介电材料表面；b.在用该超临界甲硅烷基化剂处理该低k介电材料表面之后除去该超临界甲硅烷基化剂；c.用该超临界溶剂处理该钝化的低k介电材料表面；以及d.在用该超临界溶剂处理该钝化的低k介电材料表面之后除去该超临界溶剂，其中该超临界甲硅烷基化剂和该超临界溶剂将该钝化的低k介电材料的表面至少部分钝化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||