用于图形化双波纹互连的三层掩膜结构

摘要

本发明涉及一种对于铜基础的双波纹集成方法，其使用具有交替蚀刻选择特性的三个上部硬掩膜层(150，160，170)，比如无机/有机/无机层的，在低K(low－k)电介质叠层(120，130，140)中布线。

主权项

1.种制品，含有a)一衬底；b)在衬底上的包括具有小于3.0的介电常数的上部的电介质叠层；c)在电介质叠层上的第一掩膜层，该第一掩膜层能够抵抗用来去除铜的化学机械抛光方法的蚀刻，而且第一层具有相对于电介质叠层上部的蚀刻选择性；d)第一掩膜层上的第二掩膜层，第二掩膜层具有相对于第一掩膜层的蚀刻选择性，还具有与电介质叠层上部相近似的蚀刻特性；以及e)在第二掩膜层上的第三掩膜层，第三掩膜层具有相对于第二掩膜层的蚀刻选择性，还具有与第一掩膜层相近似的蚀刻特性。