| 发明名称 | 半导体芯片与半导体组件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一半导体芯片，包含一半导体基底，其设置有第一及第二有源区。一电阻是形成于第一有源区，且该电阻是包含一掺杂区形成于两端点之间。一应变型沟道晶体管是形成于第二有源区，该晶体管包含一第一及第二应力源，其形成于与一应变型沟道区相对毗邻的基底。 | ||
| 申请公布号 | CN1645616A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200410058449.X | 申请日期 | 2004.08.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 柯志欣;李文钦;杨育佳;林俊杰;胡正明 |
| 分类号 | H01L27/092;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/336 | 主分类号 | H01L27/092 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种半导体芯片，其包含：一半导体基底；一第一有源区，其位于该基底上；一第二有源区，其位于该基底上；一电阻，其形成于该第一有源区上，该电阻是包含一形成于两端点间的一掺杂区；以及一应变型沟道晶体管，其形成于该第二有源区上，该应变型沟道则包含一第一及一第二应力源形成于与一应变型沟道区相对毗邻的基底。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||