除去光刻胶和蚀刻残渣的方法

摘要

提供等离子体灰化的方法，以除去在介电层的前一等离子体蚀刻过程中形成的光刻胶残余物和蚀刻残渣。灰化方法使用牵涉两步的等离子体工艺和含氧气体，其中在第一清洗步骤中向基片施加低或零偏压，从基片上除去大量光刻胶残余物和蚀刻残渣，另外从腔室表面上蚀刻并除去有害的氟烃残渣。在第二步清洗步骤中向基片施加增加的偏压，以便从基片上除去剩余的光刻胶和蚀刻残渣。两步工艺降低在常规的一步灰化工艺中常常观察到的记忆效应。可使用终点检测方法监控灰化工艺。

主权项

1.一种就地灰化的方法，它包括：引入含有含氧气体的工艺气体；在等离子体处理腔室内生成等离子体；将基片暴露于等离子体下，其中基片驻留在基片支架上；通过施加第一偏压到基片支架上进行第一灰化步骤；和通过施加第二偏压到基片支架上进行第二灰化步骤，其中第二偏压大于第一偏压。