绝缘栅极型半导体装置及其制造方法

摘要

一种绝缘栅极型半导体装置及其制造方法，其解决由于层间绝缘膜从衬底表面突出而产生的如下可靠性问题等，在形成于其上的源电极上产生有分步敷层，引线结合时的应力使层间绝缘膜或衬底产生裂纹，而不能均匀地形成源电极而配线电阻增大。将层间绝缘膜完全埋入槽内。由此，由于源电极可大致平坦地在栅电极上部形成，故可防止分步敷层产生的不良。在裂纹，源极区域底盘区域、层间绝缘膜形成的三个工序中使用一片掩膜，可减小掩膜的对准误差的裕量，可实现比线宽限制的限界值更紧缩的设计。

主权项

1、一种绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，包括：作为漏极区域的单导电型半导体衬底；设于所述漏极区域表面上的逆导电型沟道层；贯通所述沟道层设置的槽；设于该槽内壁的栅极绝缘膜；埋入所述槽内的栅电极；邻接所述槽设置的单导电型源极区域；埋入所述槽内，中心附近的膜厚比周边部的膜厚薄的层间绝缘膜；大致平坦地覆盖所述栅电极上，和所述源极区域接触的源电极。