发明名称 | 薄膜形成装置和方法,以及使用该装置的电子零件制造方法 | ||
摘要 | 一种膜形成装置,其中具有多个膜形成室的真空室安装在不同的平面内并通过真空传递室彼此连通,并且基片通过设置在该传递室中的一基片传递机构而在该真空室之间被传递。从而膜形成装置中的室的数目可以容易地增加,并可节省安装空间和提高生产效率。 | ||
申请公布号 | CN1646725A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
申请号 | CN03807987.9 | 申请日期 | 2003.04.01 |
申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 越川政人;松井敏 |
分类号 | C23C14/56;G11B7/26;H01L21/68 | 主分类号 | C23C14/56 |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 吴鹏;马江立 |
主权项 | 1.一种用于在基片表面形成薄膜的薄膜形成装置,包括:多个真空室,每个所述真空室均具有多个薄膜形成室和一用于保持基片和在所述薄膜形成室之间输送基片的输送系统,所述真空室设置在彼此不同的平面内;以及一用于在所述多个真空室之间将基片传递给所述输送系统的基片传递机构,其特征在于,所述基片传递机构放置在一用于使所述多个真空室互相连通的传递室中。 | ||
地址 | 日本东京都 |