低介电常数层间介质薄膜及其形成方法

摘要

本发明涉及一种形成低介电常数层间介质薄膜的方法，该方法包括在足以在基片上沉积薄膜的化学气相沉积条件下，使包括一种或多种有机硅化合物的有机硅前体，任选与一种或多种其他反应物质一起发生反应，以形成介电常数为3.5或更低的层间介质薄膜，所述有机硅化合物含一个或多个选自C2－C10环氧化物、C2－C8羧酸酯、C2－C8炔烃、C4－C8二烯烃、C3－C5张力环基团和C4－C10基团的活性侧基，这些侧基能在空间上阻碍或拉紧有机硅前体。本发明也涉及由上述方法形成的薄膜。

主权项

1.一种形成低介电常数层间介质薄膜的方法，该方法包括在足以在基片上沉积薄膜的化学气相沉积条件下，使包括一种或多种有机硅化合物的有机硅前体，任选与一种或多种其他反应物质一起发生反应，以形成介电常数为3.5或更低的层间介质薄膜，所述有机硅化合物含一个或多个选自C2-C10环氧化物、C2-C8羧酸酯、C2-C8炔烃、C4-C8二烯烃、C3-C5张力环基团和C4-C10基团的活性侧基，这些侧基能在空间上阻碍或拉紧有机硅前体。